2017 年第一季 DDR3 4GB 合約價飆至 25 美元,創 DRAM 淡季漲幅最高紀錄

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 04 日 14:50 | 分類 伺服器 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
2017 年第一季 DDR3 4GB 合約價飆至 25 美元,創 DRAM 淡季漲幅最高紀錄


TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXc hange)最新研究顯示,由於 DRAM 供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續 2016 下半年的價格漲勢,2017 年第一季 DRAM 平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB 模組的合約價最高已超過 25 美元,季漲幅超過三成,為 DRAM 史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的一季。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,根據現已成交的合約看來,2017 年第一季標準型記憶體價格持續攀高,平均漲幅接近三成,伺服器記憶體的漲幅略同,R-DIMM 32GB 模組已超過 200 美元大關,漲幅同樣超過二成。行動式記憶體也因智慧型手機在中國新年鋪貨的需求帶動下,不論是單顆顆粒 (discrete product)或 eMCP 解決方案,價格都同樣攀高,季漲幅估將超過一成。

行動式與伺服器用記憶體需求持續強勁,供貨吃緊將可能持續整年

2016 年起,由於中國品牌崛起帶動智慧型手機需求旺盛,DRAM 原廠陸續調降標準型記憶體產出,轉作行動式記憶體。在供貨減少下,DDR3 4GB 均價一路攀升至今,連帶讓伺服器用記憶體價格也呈現大漲,甚至行動式記憶體在 2017 年第一季也有近 15% 的季漲幅,此外,繪圖用記憶體與利基型記憶體也都雨露均霑,季漲幅至少超過一成 。

展望 2017 年,各 DRAM 原廠資本支出較為保守,皆不傾向過分擴張產能,並以獲利導向為主要經營策略。DRAMeXchange 預估,2017 年 DRAM 產業的供給端位元年成長率僅 19%, 遠低於往年至少二成甚至超過三成的年成長率,在 2017 年 DRAM 需求端年成長超過 22% 情況下,供不應求的嚴峻程度可見一斑。

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從市場面觀察,由於 2017 年旗艦手機記憶體搭載量將上看 8GB,加上中階手機多邁向搭載 4GB 規格,因此行動式記憶體依然是 DRAM 產業需求成長最為強勁的類別,整體而言,2017 年智慧型手機記憶體容量年成長將超過 30%,超越一般筆電使用的記憶體規格。

此外,因各式雲端服務興起,伺服器用記憶體需求也顯著成長。DRAMeXchange 預估,2017 年伺服器的平均記憶體容量將達 130GB 以上,其中,中國市場的強勁需求力道高於世界水平,亦驅使 DRAM 廠在 2017 年的產能分配下,皆計劃將產能轉往行動式記憶體與伺服器用記憶體,持續使部分 DRAM 產品供貨吃緊甚至發生缺貨情形。現階段 DRAM 廠多採取製程轉進的方式滿足客戶需求,而不傾向增加產能,因此,2017 年供貨短缺的情況極有可能持續一整年度,有助於 DRAM 產業維持豐厚獲利。

(首圖來源:shutterstock)

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