紫光續擴張!趙偉國喊今年再砸 460 億美元,成都、南京建晶圓廠

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 11 日 11:56 | 分類 晶片 follow us in feedly
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中國紫光集團近年來擴張頻頻,談併購、挖人才、建廠擴產能沒在手軟,紫光偕旗下長家存儲興建的國家記憶體基地 240 億美元投資案才在日前動工,現在紫光董事長趙偉國又宣布,未來一年將再砸 460 億在中國成都、南京各建一座晶圓廠。



紫光集團董事長趙偉國獲選中國網路媒體新浪財經、人民日報客戶端與吳曉波頻道所主辦的「2016 十大經濟年度人物」,10 日趙偉國出席頒獎典禮致辭時透露:「去年 2016 年紫光已經在武漢開工建設了記憶體基地,基地投資金額在 240 億美元,今(2017)年還有另外兩個半導體製造基地,一個在成都、一個在南京,這三個基地的總投資金額超過 700 億美元。」扣除掉武漢記憶體基地 240 億美元的投資額,未來在成都與南京建廠投資合計也將高達 460 億美元。

紫光合併武漢新芯成立的子公司長江存儲,負責統籌中國國家記憶體建設,新廠在去年 12 月底於武漢正式開工,官方於動土典禮當時指出,項目總投資金額達 240 億美元,將建設全球單座潔淨室面積最大的  3D NAND Flash 廠房 3 座,以及 1 座總部大樓和落干配套建築,預期於 2018 年完成建廠投產,2020 年完成整個項目,總產能將達到 30 萬片一個月。

大舉建廠擴張外,紫光的挖角行動同樣沒在手軟,繼前華亞科董事長高啟全在 2015 年轉戰紫光後,近期傳出前聯電執行長孫世偉也跳槽紫光,與高啟全位階相同,同任紫光全球執行副總裁,並協助紫光未來在成都的 12 吋晶圓廠建設案。

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