重慶之後格羅方德再搭成都,合建 12 吋晶圓廠發展先進 FD-SOI

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 10 日 12:50 | 分類 晶片 follow us in feedly

全球晶圓代工第二大廠格羅方德投資重慶計畫傳出告吹,但格羅方德並未停止中國布局,而是轉投成都市政府懷抱,共同合組格芯成都。今 10 日成都市政府與格羅方德正式在成都高新區舉行簽約暨簽約儀式,宣布再建一座 12 吋晶圓廠。



格羅方德與中國四川省成都市政府合組格芯成都,共同投資興建 12 吋廠,於今 10 日舉行簽約與奠基儀式,新廠落戶成都高新區濱河路地段,總投資金額將達 90.53 億美元。格羅方德執行長 Sanjay Jha 都親臨簽約儀式。

GLOBALFOUNDRIES china 01

(Source:成都市政府)

據悉,格芯成都新廠將布建全球首條 22 奈米 FD-SOI 製程生產線,產品將能廣泛運用於行動終端、物聯網、汽車電子等領域,在四川地區創造 9000 個直接工作機會,並為整個生態圈帶來 15,000 個職缺。

格羅方德預計新廠將於 2018 年第四季先行投產主流 CMOS 產品,於 2019 年第四季才會投產 22 奈米  FD-SOI 先進製程產品。

除了主流的 FinFET 技術,在物聯網浪潮下,FD-SOI(全耗盡型絕緣層覆矽)技術也日漸受到重視。與 FinFET 相比,FD-SOI 基板雖然較貴,但在掩模數量與製造工序比 FinFET 來得少,減少部分光罩成本也縮減了製造時間,在技術上比 FinFET 更適合類比/混合訊號、RF,FD-SOI 還具備了低功耗的優勢,因此,不少人認為 FD-SOI 將是物聯網較佳選擇,或能與 FinFET 互補。

格羅方德除在 FinFET 製程盡力追趕,於日前宣布跳過 10 奈米積極發展 7 奈米 FinFET 製程,在 FD-SOI 同樣投注不少心力,2015 年推出的 22 奈米 FD-SOI 平台後,在去年 9 月進一步發表新的 12 奈米 FD-SOI 技術。新一代 12 奈米 FD-SOI 產品,估計 2018 年底將於德國 Dresden Fab 1 投產,2019 年將 22 奈米 FD-SOI 生產重心轉移至成都新廠。

中國知名半導體分析師孫昌旭透露,二期建成後,成都廠估計月產能可達 8.5 萬片、年產能達到 100 萬片。

而成都高新區除了格羅方德逾 90 億美元的新晶圓廠製造項目,包含國顯光電 AMOLED 6 代廠及京東方 B12 新廠 6 代 LTPS/AMOLED 生產線也都落戶於此。成都市政府在去年 12 月也與紫光集團簽訂《紫光 IC 國際城項目合作框架協議》,選址天府新區成都科學城,就積體電路、研發設計、產業投資基金等領域展開深入合作,擬興建新的晶圓廠,官方估計總投資金額將超過 2,000 億人民幣。

GLOBALFOUNDRIES china 02

(Source:成都市政府)

(首圖來源:科技新報)

延伸閱讀:

發表迴響