300 億美元投資案展開!紫光南京廠動土,未來主攻記憶體

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 13 日 13:41 | 分類 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

中國半導體產業近期同樣熱鬧非凡,繼 SK 海力士上週敲定無錫新廠投資案、格羅方德成都建廠動土,紫光南京的 IC 國際城建設項目也在昨 12 日開工,近一週內就有一項投資大案敲定、兩項目正式展開。



中國紫光集團 1 月 18 日才與南京市政府敲定半導體產業基地投資項目,不到一個月的時間,12 日紫光就偕南京市政府舉行動土典禮,宣告紫光南京半導體基地正式開工。

紫光南京新廠與台積電南京廠同坐落於南京江北新區浦口區,紫光南京新廠占地面積約 1,500 畝,主要生產 3D NAND Flash、DRAM 記憶體。總投資金額高達 300 億美元的建設項目,一期投資約 100 億美元、月產能 10 萬片晶圓。去年底台灣 IC 設計晶圓測試廠欣銓,敲定在南京間接投資新廠,同樣將落戶於此。1-1F212142513133

包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨南京市委書記吳政隆、南京市長穆瑞林等人都出席動土儀式。

紫光集團還指出,將另外投資 300 億人民幣(約 44 億美元)建設配套的 IC 國際城,包含科技園、設計封裝產業基地、國際學校、國際人才公寓等相關配套設施。

據先前趙偉國透露的訊息,除了旗下長江存儲國家記憶體基地 240 億美元投資案,未來一年將在中國成都、南京各建一座晶圓廠,三項投資案加起來將超過 700 億美元。

(圖片來源:紫光官網)

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