第二季伺服器用記憶體合約價續漲,16GB 模組均價將邁向 130 美元大關

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 20 日 14:50 | 分類 伺服器 , 記憶體 follow us in feedly

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於供給吃緊態勢尚未改變,2017 年伺服器用記憶體第一季合約價上揚近四成,預估第二季將更進一步上漲約一成水位,其中 DDR4 16GB 伺服器模組將邁向 130 美元大關。



DRAMeXchange 表示,自 2016 年第四季起,伺服器用記憶體便在標準型記憶體的供貨吃緊下連帶漲價,且受惠於 2016 下半年大型標案,整體備貨力道超出預期。展望 2017 年,由於 DRAM 原廠對記憶體資本支出趨於保守,產能擴增受限,整體市場供給仍將吃緊,預估 2017 上半年伺服器用記憶體價格仍會延續漲價走勢。

整體伺服器用記憶體製程邁進 20 奈米以下,高容量模組加速滲透

從記憶體產出製程來分析,三星今年的重點將會是提高 18 奈米製程的投片,同時 SK 海力士與美光陣營也會提高其 20/21 奈米高容量晶圓顆粒與良率,進而提升整體高容量伺服器模組的滲透率。

此外,目前如華為、浪潮等中國伺服器廠商皆已通過原廠先進製程的驗證,預計在今年第二季大量轉進至 20 奈米以下的製程,並規劃於今年第四季前達到近六成的 20 奈米產品規畫,可以預期高容量模組如 16GB 與 32GB 的伺服器應用將更多。

DRAMeXchange 指出,2017 年 20 奈米將成為伺服器用記憶體主要供應製程,8Gb mono die 成為市場主流顆粒,使得 16GB 與 32GB 容量的伺服器模組取得更加容易,再加上下半年英特爾與超微新伺服器平台的導入,將迫使如廣達等一線代工廠提升伺服器用記憶體模組的配置,以改善整體效能。然而,單機搭載容量的提升依舊是今年伺服器用記憶體最主要的成長動能。

(首圖來源:shutterstock) 

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