全球首創，清大團隊突破 MRAM 技術瓶頸
作者 | 發布日期 2019 年 03 月 15 日 9:02 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 line share follow us in feedly line share
全球首創，清大團隊突破 MRAM 技術瓶頸


台灣科技部在 14 日發表由清華大學團隊研發出的最新磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）技術，稱對半導體產業發展將有決定性的影響力。

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