台灣晶圓代工大廠力積電(PSMC)傳出將和日本新創企業合作,目標在 2029 年量產磁阻式隨機存取記憶體(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory),將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第 2 期工程產線進行量產。
力積電傳擬和日本新創企業合作,目標量產 MRAM |
作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 02 月 05 日 8:45 | 分類 半導體 , 晶圓 |
聯電攜手 Avalanche Technology 以 22 奈米生產航太用高密度 MRAM |
作者 Atkinson|發布日期 2022 年 09 月 13 日 10:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit |
MRAM 技術創新公司 Avalanche Technology 與半導體晶圓代工廠聯電 13 日宣布,推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 (Persistent Static Random Access Memory,P-SRAM)。這個備受期待的第三代產品平台建構於 Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (Spin-Transfer-Torque MRAM,STT-MRAM) 技術以及聯電的 22 奈米製程,相較於現有的非揮發性解決方案,更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。
工研院 IEEE 發表新世代記憶體論文,為 FRAM、MRAM 帶領未來商機 |
作者 Atkinson|發布日期 2019 年 12 月 10 日 13:30 | 分類 尖端科技 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
工研院於 10 日美國舉辦的 IEEE 國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM),發表 3 篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM,FRAM)及 3 篇磁阻隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random-Access Memory,MRAM)相關技術重要論文,引領創新研發方向,並為新興記憶體領域發表最多重要論文者。