MRAM 技術創新公司 Avalanche Technology 與半導體晶圓代工廠聯電 13 日宣布，推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 (Persistent Static Random Access Memory，P-SRAM)。這個備受期待的第三代產品平台建構於 Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM) 技術以及聯電的 22 奈米製程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。
聯電在新聞稿中指出，Parallel x 32 系列作為標準產品提供各種密度選項，並具有非同步 SRAM 兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的，並具備領先業界的 >1014 次寫入週期耐久性和 1,000 年保存期 (在 85°C 下)。兩種密度選項均採用小尺寸 142-ball FBGA(15mm×17mm) 封裝。這些裝置都經由 JEDEC 認證流程確保寬廣的 (-40°C 至125°C) 工作溫度範圍，每項裝置在交付給客戶前並都經過 48 小時的老化測試。其他額外認證選項亦提供給合作夥伴選擇。
Avalanche Technology 行銷與商務發展副總經理 Danny Sabour 表示，此次新產品的推出，真正實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼 (Error-Correcting Code，ECC) 或耗損平均技術。有鑑於現今無所不在的感測裝置以及日益升高的資料處理需求推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要，將很快啟動進一步提高 16Gb 單晶片解決方案的開發工作。
聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，聯電很高興與 Avalanche Technology 這樣的技術領導廠商合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且高度可擴展的 MRAM 解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並透過此次與 Avalanche Technology 的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。
Avalanche Technology 首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自 2006 年起，Avalanche Technology 持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 (perpendicular Magnetic Tunnel Junction，pMTJ) 結構的 STT-MRAM 技術。以領先業界的pMTJ 和 CMOS 設計為基礎，透過我們的合作夥伴聯華電，讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。
(首圖來源：科技新報攝)
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