聯電攜手 Avalanche Technology 以 22 奈米生產航太用高密度 MRAM

MRAM 技術創新公司 Avalanche Technology 與半導體晶圓代工廠聯電 13 日宣布，推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 (Persistent Static Random Access Memory，P-SRAM)。這個備受期待的第三代產品平台建構於 Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM) 技術以及聯電的 22 奈米製程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。