美團隊展示與拓樸絕緣體相關的新型磁阻效應,有望改善未來電腦運算及儲存功能 作者 Nana Ho | 發布日期 2018 年 01 月 16 日 19:15 | 分類 儲存設備 , 會員專區 , 記憶體 | edit 本篇文章將帶你了解 :美團隊展示與拓樸絕緣體相關的新型磁阻效應,有望改善未來電腦運算及儲存功能從磁帶、軟碟片到電腦硬碟,磁性材料一直人們被用來儲存電子資料和寶貴的知識與回憶,近日美國研究團隊發現一種涉及「拓樸絕緣體」(topological insulators)的新形態磁阻效應(MR),可能將會改善未來電腦運算和儲存的功能。本篇文章將帶你了解 :美團隊展示與拓樸絕緣體相關的新型磁阻效應,有望改善未來電腦運算及儲存功能 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: MRAM , topological insulators , unidirectional SMR , 拓樸絕緣體 , 磁記錄 , 磁阻式隨機存取記憶體 , 磁阻效應 , 自旋霍爾磁阻 , 鐵磁雙層膜