DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」（MRAM）、「可變電阻式記憶體」（ReRAM）可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
DRAM 微縮已到極限，新記憶體 MRAM、ReRAM 等接班？ |
作者
MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 17 日 16:00 |
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Tag Archives: MRAM
搶在美光前！東芝、海力士合作於 2016 年量產 MRAM |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2014 年 01 月 02 日 8:15 |
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日經新聞 2014 年 1 月 1 日報導，東芝（Toshiba）將攜手南韓海力士（SK Hynix）於2016年度量產可大幅提高智慧型手機性能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）」，量產時間將比美國美光科技（Micron Technology）所計畫的 2018 年提前了約2年時間。 繼續閱讀..
