DRAM 微縮已到極限，新記憶體 MRAM、ReRAM 等接班？
作者 | 發布日期 2015 年 06 月 17 日 16:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」（MRAM）、「可變電阻式記憶體」（ReRAM）可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。

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