下代記憶體問世有望？南韓新技術破解 ReRAM 研發難題

被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」（Resistive Random Access Memory、ReRAM）發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨烯（graphene）電極，研發出電阻轉換測量科技，或許有望解決 ReRAM 量產的最大障礙。

南韓媒體 ETNews 報導，仁荷大學（Inha University）材料科學工程系教授 Jeon Hyeong-tak 和 Seoh Hyeong-tak 25 日宣布開發出新科技，用和碳原子相同厚度的單層石墨烯，取代上層電阻，石墨烯極為輕薄，使得測量電極的信號變化成為可能。

ReRAM 靠著絕緣體的電阻變化，區別 0 和 1，外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體（NAND Flash），但是 ReRAM 商業化的最大障礙在於運作原理不明，難以測量。新科技或許有望突破此一限制，但是仍需更多研究才能擴大運用。

Market Realist 4 月 28 日報導，美光科技（Micron Technology）和 Sony 在國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference）上表示，正透過 27 奈米製程，開發 16-Gbit 的 ReRAM；Sony 預定 2015 年量產 ReRAM 晶片。專家表示，三星（Samsung）應該也在研發包括ReRAM的次世代儲存科技。另外，SK Hynix、Crossbar、Panasonic、HP 也在開發替代的非揮發性記憶體，如 ReRAM、相變化記憶體（Phase Change Memory、PCM)、磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM）。

日經新聞1月1日報導，東芝（Toshiba）將攜手南韓 SK Hynix 於 2016 年度量產可大幅提高智慧型手機效能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）」，量產時間將比美國美光科技（Micron Technology Inc.）所計畫的 2018 年提前了約 2 年時間。

（精實新聞 記者 陳苓 報導）