下代記憶體問世有望?南韓新技術破解 ReRAM 研發難題

作者 | 發布日期 2014 年 05 月 27 日 8:17 | 分類 尖端科技 , 晶片 , 零組件
RERAM

被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破,韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極,研發出電阻轉換測量科技,或許有望解決 ReRAM 量產的最大障礙。



南韓媒體 ETNews 報導,仁荷大學(Inha University)材料科學工程系教授 Jeon Hyeong-tak 和 Seoh Hyeong-tak 25 日宣布開發出新科技,用和碳原子相同厚度的單層石墨烯,取代上層電阻,石墨烯極為輕薄,使得測量電極的信號變化成為可能。

ReRAM 靠著絕緣體的電阻變化,區別 0 和 1,外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體(NAND Flash),但是 ReRAM 商業化的最大障礙在於運作原理不明,難以測量。新科技或許有望突破此一限制,但是仍需更多研究才能擴大運用。

Market Realist 4 月 28 日報導,美光科技(Micron Technology)和 Sony 在國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference)上表示,正透過 27 奈米製程,開發 16-Gbit 的 ReRAM;Sony 預定 2015 年量產 ReRAM 晶片。專家表示,三星(Samsung)應該也在研發包括ReRAM的次世代儲存科技。另外,SK Hynix、Crossbar、Panasonic、HP 也在開發替代的非揮發性記憶體,如 ReRAM、相變化記憶體(Phase Change Memory、PCM)、磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM)。

日經新聞1月1日報導,東芝(Toshiba)將攜手南韓 SK Hynix 於 2016 年度量產可大幅提高智慧型手機效能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)」,量產時間將比美國美光科技(Micron Technology Inc.)所計畫的 2018 年提前了約 2 年時間。

(精實新聞 記者 陳苓 報導) 

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