美商應材公司（Applied Materials）因應物聯網（IoT）和雲端運算所需的新記憶體技術，日前宣布推出創新、用於大量製造的解決方案，有利於加快產業採納新記憶體技術的速度。
新記憶體技術時代開啟，應材發表新記憶體大量生產技術因應需求 |
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作者
Atkinson|發布日期
2019 年 07 月 11 日 18:15 |
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Tag Archives: ReRAM
中國先行試產出 40 奈米 ReRAM，進一步卡位記憶體市場 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 01 月 17 日 16:00 |
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近年來，中國政府為了達成在 2018 年晶片自給率的要求，正全面扶植中國半導體廠商。使得以紫光為代表的中國半導體企業，正在斥資數百億美元的資金，投入 NAND、DRAM 等記憶體產業的發展，期望在不久的將來能推出中國國產的 3D NAND 快閃記憶體。只是，在 NAND 記憶體的領域中，中國企業的發展已經晚了二十多年，對既有的台韓美等廠商起不了憾動作用。因此，就將希望放在新一代記憶體技術上。日前，中芯國際（SMIC）日前正式出樣 40 奈米製程的 ReRAM （非易失性阻變式存儲器）記憶體，就是一個明顯的例子。
HP、SanDisk 新技術，稱比 NAND 快 1 千倍 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2015 年 10 月 12 日 10:15 |
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韓廠獨霸記憶體市場，美國業者不甘落後，計劃絕地反攻，繼英特爾（Intel）和美光（Micron）之後，惠普（HP）也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」（ReRAM）科技。新技術可取代 DRAM，速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。
DRAM 微縮已到極限，新記憶體 MRAM、ReRAM 等接班？ |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 17 日 16:00 |
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DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」（MRAM）、「可變電阻式記憶體」（ReRAM）可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
