HP、SanDisk 新技術,稱比 NAND 快 1 千倍

作者 | 發布日期 2015 年 10 月 12 日 10:15 | 分類 晶片 , 會員專區 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


韓廠獨霸記憶體市場,美國業者不甘落後,計劃絕地反攻,繼英特爾(Intel)和美光(Micron)之後,惠普(HP)也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」(ReRAM)科技。新技術可取代 DRAM,速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。

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