英特爾、美光推 3D XPoint 要掀記憶體革命,將可同時取代 DRAM 與 NAND

作者 | 發布日期 2015 年 07 月 29 日 12:35 | 分類 晶片 follow us in feedly
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記憶體的重大突破出現!7 月 29 日美光與英特爾共同發表新型非揮發性記憶體晶片 3D XPoint,且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求,據官方發表的資訊,速度將可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍,處理器與資料之間的延遲將可被降低,當分析速度加快,也開啟了更大的運用範疇,機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。




半導體產業每隔幾年總有新型記憶體技術發表,諸如惠普、IBM、還有飛思卡爾等都嘗試過創造要比現有技術更快、密度更高、成本更低廉或各種條件權衡之下的替代品,但大多都因為昂貴、易碎等因素難以取代主流技術。

英特爾與美光早在 2005 年即一同攜手進軍 NAND Flash 市場,7 月 29 日又再一同發表新的 3D XPoint 非揮發性記憶體,成為挑戰者之一,且意圖做個革新者,3D XPoint 技術意圖取代 DRAM 與 NAND Falsh 在運算端的需求,官方新聞稿聲稱,已在成本與功耗、效能之間取得平衡。

3D X point 為獨立在 DRAM 與 NAND 以外的全新「Non-Volatile Memory Form Factor」,英特爾稱此為 1989 年 NAND 快閃晶片推出以來,第一個新的記憶體類別。

memorytech

(Source:Fortune

其不像 DRAM,3D X point 不需要電晶體就可以執行讀寫,結構上近似現在較先進的 3D NAND  技術皆為 3D 架構,但不像 NAND 以電荷將資訊儲存於元件,而是儲存在架構中字組線(word line)與位元線(bit line)的交叉點上,系統因此得以單獨存取每個儲存單元,當系統能以小單位讀取與寫入資料,讀寫程序將變得更快,目前官方給的訊息,記憶體儲存單元配置共 1,280 億個,且為可堆疊,目前初步技術堆疊至兩層、每個晶粒能儲存 128Gb,未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量。

英特爾聲稱,3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍,速度與耐用度比 NAND 高出 1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM,新技術的發表讓美光也放話,未來將可提供容量高達 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。

3D X point 基本上大幅降低了處理器與資料之間的延遲,預估未來也將有更多嶄新的運用,拓展出機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等發展。

英特爾表示,3D X point 將於 2015 年稍晚送樣給特定客戶,而英特爾與美光目前已開始著手開發包含 3D X point 技術的相關產品。記憶體儲存相關調研機構 DRAMeXchange 預估,初期 3D X point  該將先出現於高階的伺服器與商業應用端。

受到新技術發表的激勵,英特爾股價 28 日上漲了 2.15% 收在 28.96 美元、美光股價更勁揚了 9%,來到 19.75 美元。

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