英特爾、美光推 3D XPoint 要掀記憶體革命，將可同時取代 DRAM 與 NAND |
作者
liu milo |
發布日期
2015 年 07 月 29 日 12:35 |
分類
晶片
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記憶體的重大突破出現！7 月 29 日美光與英特爾共同發表新型非揮發性記憶體晶片 3D XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求，據官方發表的資訊，速度將可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的延遲將可被降低，當分析速度加快，也開啟了更大的運用範疇，機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。
