英特爾、美光開發 3D Xpoint 記憶體,嚇壞三星、Hynix

作者 | 發布日期 2015 年 08 月 07 日 16:01 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
3D XPoint 0729

英特爾(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)於 7 月 29 日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」,儲存的資料比 DRAM 高出十倍,讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多,如此革新的技術讓三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix 大為緊張。



BusinessKorea 7 日報導,3D XPoint 類似次世代 ReRAM 或 PRAM 科技,能完全改變資料儲存的方式,半導體專家相信,自從東芝在 1987 年首次展示 NAND 型快閃記憶體之後,3D XPoint 會是這 30 年間一個相當重要的變革。

NAND 型快閃記憶體在讀取或寫入資料時,不會直接針對某個記憶體單元動作,而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。相較之下,3D XPoint 則可指定特定的記憶體單元,經由電路把資料存入,這些電路被排列成水平與垂直線,其交會點可為每一個單元創造位址。

這種技術能夠輕鬆複製三星獨家生產的 3D V-NAND。英特爾指出,3D XPoint 能夠建立 3D 架構,把記憶體單元層層堆疊,而由於這些單元是被擺在電路中間,因此的確能夠設計出一個多層架構,把單元與電路依序堆疊起來。

英特爾預計今年下半年就能將 3D XPoint 記憶體原型配送給企業夥伴,還打算在 8 月 18-20 日的舊金山開發者論壇(IDF)發布全新產品系列,預計採用 3D Xpoint 的產品將在 2016 年問世。BusinessKorea 引述業界人士指出,三星、SK Hynix 原本認為英特爾的次世代記憶體最快也得等到 2019 年才能量產,怎知英特爾與美光的速度如此之快、讓人大吃一驚,也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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