Tag Archives: SK Hynix

外資評美國暴風雪衝擊逐漸恢復,雲端伺服器需求將拉抬 DRAM 價格

作者 |發布日期 2021 年 02 月 24 日 17:45 | 分類 IC 設計 , 伺服器 , 國際貿易

Aletheia 資本針對近期全球半導體供應鏈做出相關分析,並且發出報告指出,在美國暴風雪的影響上,目前因水電逐漸恢復中,預期 7~10 天後恢復生產水準。除了三星德州廠廠停工之外,英飛凌與德國晶圓代工廠 X Fab 則有小部分衝擊。至於,受惠於市場拉獲利到的提升,2021 年雲端伺服器市場將淡季不淡,並拉抬記憶體的市場需求,在報價提升下挹注營運動能。

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SK 海力士購併英特爾 NAND Flash 業務,預計中國政府開綠燈放行

作者 |發布日期 2020 年 10 月 26 日 15:10 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

針對南韓記憶體大廠 SK 海力士日前宣布,將以 90 億美元的金額收購英特爾(intel)旗下不含 3D XPoint 技術的 NAND Flash 部門一事,根據南韓媒體的報導,雖然該項購併案仍必須經過各國反壟斷機構的審查才能夠進一步完成。不過,在其關鍵的中國市場方面,中國政府對其將可能開綠燈放行。

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SK 海力士收購英特爾 Nand 業務,Nand 競爭更趨火熱?

作者 |發布日期 2020 年 10 月 21 日 9:10 | 分類 處理器 , 記憶體 , 財經

SK 海力士(SK Hynix)將以 90 億美元收購英特爾(Intel)Nand 記憶體與儲存業務,以及位於中國大連專門製造 3D NAND Flash 的 Fab68 廠房,預計在 2025 年 3 月完成收購,研究機構預估,SK Hynix 完成收購後在 Nand 市場的市占率可望由原本的第四名躍居第二名,僅次於三星之後,可見 SK Hynix 在 Nand 市場的企圖心,將自身的產能、產品、技術以及客戶族群都拉高一個層次,未來 Nand Flash 市場也恐怕競爭更趨火熱。

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華為再遭斷供,三星與 LGD 將停止供應高階智慧手機面板

作者 |發布日期 2020 年 09 月 09 日 16:00 | 分類 Android 手機 , Samsung , 手機

美國加強制裁中國華為後,包括台積電、美光等科技大廠都在 9 月中制裁令生效後,陸續斷供華為。據《路透社》引用《朝鮮日報》消息指出,華為手機面板重要供應商三星與 LG Display 也因受限 9 月中美國制裁令生效,將停止供應華為高階智慧手機面板。

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三星、SK Hynix 傳加入制裁華為行列,9/15 斷供晶片

作者 |發布日期 2020 年 09 月 09 日 11:00 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 晶片

美國川普政權 8 月 17 日宣布對華為祭出追加制裁措施,防堵華為藉由「迂迴」策略(透過第三方業者採購)規避 5 月時公布的禁令內容,而據韓媒報導指出,南韓兩大半導體廠三星電子、SK Hynix 將加入美國制裁華為的行列,將自 9 月 15 日起中斷對華為的晶片供應。 繼續閱讀..

南韓擔心對華為制裁波及記憶體,三星與 SK 海力士密切關注

作者 |發布日期 2020 年 08 月 24 日 11:50 | 分類 Android 手機 , Samsung , 中國觀察

根據南韓媒體的最新報導指出,因為隨著美國的制裁進一步升級,中國華為除了晶片上受到嚴重限制之外,其在手機記憶體供應上也有可能受到牽連,因此,目前為華為記憶體主要採購對象的南韓三星與 SK 海力士目前正在積極關注事件的後續發展。

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追趕台積電,三星砸逾 30 億美元與 ASML 簽訂 20 台 EUV 採購合約

作者 |發布日期 2020 年 01 月 30 日 11:15 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片

根據南韓媒體報導,相關產業人士指出,南韓三星電子已經在 2020 年的 1 月 15 日與半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)正式簽約,以 33.8 億美元(約新台幣 1,027.86 億元)採購約 20 台極紫外光(EUV)微影設備,超越 2019 年 10 月三星預計的 15 台 EUV 採購量,顯示三星期望增加投資半導體設備,追趕與晶圓代工龍頭台積電的差距。

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SK 海力士年底前量產 1Z 奈米製程 DRAM,2020 年正式供應市場

作者 |發布日期 2019 年 10 月 21 日 16:30 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件

記憶體市場逐漸復甦當下,南韓記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣佈,開始開發適用 1Z 奈米製程的 10 奈米等 級16Gb DDR4 DRAM 記憶體。根據 SK 海力士的指出,相較於上一代 1Y 奈米製程的 10 奈米等級 DRAM,該產品的生產效率提高了 27%,並且可以在不用高價的 EUV 及紫外光刻技術的情況下進行生產,將具成本競爭力。

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降低對日本依賴,SK 海力士傳已開始使用國產氟化氫

作者 |發布日期 2019 年 10 月 02 日 15:15 | 分類 晶片 , 材料 , 零組件

路透社 2 日報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix)已開始使用國產(南韓製)高純度氟化氫。據要求匿名的 SK 海力士關係人士指出,在經過數個月時間的品質測試後,SK 海力士已於本週開始使用國產氟化氫,不過 SK 海力士並不是將日本產品全數更換為國產品。

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進度超預期!三星開始在部分半導體產線使用國產氟化氫

作者 |發布日期 2019 年 09 月 04 日 8:30 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 材料、設備

南韓媒體朝鮮日報日文版、中央日報日文版 3 日、4 日報導,三星電子已開始在部分半導體產線上使用國產氟化氫。三星於 3 日宣布,「最近開始在部分半導體製程投入國產氟化氫」。此為三星在日本祭出管制令來約 2 個月時間就開始採用國產品替代日本製產品,替代作業較預期更快。業界原先預期要在半導體製程使用替代品恐需 3~6 個月。 繼續閱讀..

SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash,屆時 SSD 可達 200TB

作者 |發布日期 2019 年 08 月 12 日 16:30 | 分類 晶圓 , 記憶體 , 零組件

目前,兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中,三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外,SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash,並已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash,屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。

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管制令影響擴散!VAIO 考慮向南韓以外廠商採購半導體

作者 |發布日期 2019 年 07 月 10 日 12:00 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 材料

日經新聞 9 日報導,日本政府對南韓祭出的出口管制相關影響正擴散,日韓企業正加緊應對,日本 PC 廠擔憂來自南韓的半導體供應恐因此受到影響,在南韓的部分,全球最大記憶體廠商三星高層拜訪日本、台灣,為確保當前生產所需的庫存四處奔波。 繼續閱讀..

日本限制半導體原料出口南韓,南韓將訴請 WTO 仲裁並反制

作者 |發布日期 2019 年 07 月 01 日 19:15 | 分類 國際貿易 , 材料、設備 , 財經

根據《韓聯社》報導, 南韓產業通商資源部長官成允模於 1 日指出,南韓政府對日本限制出口南韓半導體原料等貿易制裁措施,將提交相關資料給予世界貿易組織 (WTO) 進行訴訟,並將依照國際法以及國內法原則採取必要措施進行反制措施。而如果事件持續,這將演變成日韓兩國間的商業貿易戰。

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