Tag Archives: SK Hynix

SK 海力士年底前量產 1Z 奈米製程 DRAM,2020 年正式供應市場

作者 |發布日期 2019 年 10 月 21 日 16:30 |
分類 記憶體 , 財經 , 零組件

記憶體市場逐漸復甦當下,南韓記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣佈,開始開發適用 1Z 奈米製程的 10 奈米等 級16Gb DDR4 DRAM 記憶體。根據 SK 海力士的指出,相較於上一代 1Y 奈米製程的 10 奈米等級 DRAM,該產品的生產效率提高了 27%,並且可以在不用高價的 EUV 及紫外光刻技術的情況下進行生產,將具成本競爭力。

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降低對日本依賴,SK 海力士傳已開始使用國產氟化氫

作者 |發布日期 2019 年 10 月 02 日 15:15 |
分類 晶片 , 材料 , 零組件

路透社 2 日報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix)已開始使用國產(南韓製)高純度氟化氫。據要求匿名的 SK 海力士關係人士指出,在經過數個月時間的品質測試後,SK 海力士已於本週開始使用國產氟化氫,不過 SK 海力士並不是將日本產品全數更換為國產品。

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進度超預期!三星開始在部分半導體產線使用國產氟化氫

作者 |發布日期 2019 年 09 月 04 日 8:30 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 材料、設備

南韓媒體朝鮮日報日文版、中央日報日文版 3 日、4 日報導,三星電子已開始在部分半導體產線上使用國產氟化氫。三星於 3 日宣布,「最近開始在部分半導體製程投入國產氟化氫」。此為三星在日本祭出管制令來約 2 個月時間就開始採用國產品替代日本製產品,替代作業較預期更快。業界原先預期要在半導體製程使用替代品恐需 3~6 個月。 繼續閱讀..

SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash,屆時 SSD 可達 200TB

作者 |發布日期 2019 年 08 月 12 日 16:30 |
分類 晶圓 , 記憶體 , 零組件

目前,兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中,三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外,SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash,並已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash,屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。

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管制令影響擴散!VAIO 考慮向南韓以外廠商採購半導體

作者 |發布日期 2019 年 07 月 10 日 12:00 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 材料

日經新聞 9 日報導,日本政府對南韓祭出的出口管制相關影響正擴散,日韓企業正加緊應對,日本 PC 廠擔憂來自南韓的半導體供應恐因此受到影響,在南韓的部分,全球最大記憶體廠商三星高層拜訪日本、台灣,為確保當前生產所需的庫存四處奔波。 繼續閱讀..

日本限制半導體原料出口南韓,南韓將訴請 WTO 仲裁並反制

作者 |發布日期 2019 年 07 月 01 日 19:15 |
分類 國際貿易 , 材料、設備 , 財經

根據《韓聯社》報導, 南韓產業通商資源部長官成允模於 1 日指出,南韓政府對日本限制出口南韓半導體原料等貿易制裁措施,將提交相關資料給予世界貿易組織 (WTO) 進行訴訟,並將依照國際法以及國內法原則採取必要措施進行反制措施。而如果事件持續,這將演變成日韓兩國間的商業貿易戰。

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中國市占拚增至 50%!華為傳要求三星等韓企維持零件供應

作者 |發布日期 2019 年 05 月 28 日 13:50 |
分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件

南韓媒體中央日報日文版 28 日報導,遭受美國川普政權集中砲火攻擊的中國華為(Huawei)已向三星電子等南韓半導體 / 面板企業要求、希望能持續維持零件供應,主因美國於 5 月 16 日將華為納入出口管制黑名單後,就透過各種管道要求南韓政府加入制裁華為的行列。 繼續閱讀..

記憶體產業不景氣,南韓三星與 SK 海力士仍持續增加投資

作者 |發布日期 2019 年 04 月 02 日 18:00 |
分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體

根據南韓《朝鮮日報》的報導指出,雖然 2018 年下半年開始,記憶體的價格開始走跌,也預告 2019 年記憶體產業會呈現不景氣的狀態。但是,相關業者認為,為以高附加價值產品來應對當前的狀況,其中研發(R&D)方面的投資將是不可或缺的關鍵。

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維持對中國產業競爭優勢,SK 海力士斥資 120 兆韓圜擴產

作者 |發布日期 2019 年 02 月 21 日 19:00 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

根據《路透社》的報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士 21 日表示,將斥資 120 兆韓圜(約1,070億美元)以興建 4 家晶圓廠。而 SK 海力士的該項計畫,主要目的是要在中國力圖成為晶片製造領先國家的前提之下,繼續保持在記憶體產業上的競爭優勢。

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中國半導體製造挑戰龐大,2025 年實現自製率 70% 難度高

作者 |發布日期 2019 年 02 月 11 日 9:00 |
分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

雖然提升半導體的自製率一直是中國政府的政策,而且希望在 2025 年之際,中國半導體的自製率能達到 70% 的目標,不過根據市場研究機構《IC Insights》的最新報告顯示,中國要大幅提升半導體自給率的目標,要真正實現還有很大難度。

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兆易創新攜手合肥政府,投資人民幣 180 億元開發 19 奈米 DRAM 製程

作者 |發布日期 2017 年 11 月 01 日 16:10 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

當前 DRAM 記憶體價格主導權掌握在三星、SK 海力士、美光等三大 DRAM 供應商手上,加上台廠南亞科看重的不是消費市場,使記憶體因供不應求而價格高居不下。為了搶食商機,日前中國廠商兆易創新(Gigadevice)和合肥市產業投資控股集團簽署了一項合作協定,將研發 19 奈米製程的 12 吋 DRAM 圓晶,以在 DRAM 市場與三大廠爭食訂單。

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