韓系 NAND Flash 廠晶圓投片量提升保守，產能利用率維持 50% 上下
作者 | 發布日期 2024 年 04 月 17 日 8:50 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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韓系 NAND Flash 廠晶圓投片量提升保守，產能利用率維持 50% 上下

根據韓媒朝鮮日報的報導，三星電子本季在韓國平澤和中國西安 NAND Flash 快閃記憶體生產線的晶圓投片量，相較上一季將提升約 30%。不過，三星方面對進一步的增產仍然保持謹慎態度，以免影響到 NAND Flash 的價格漲勢。

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