下代記憶體問世有望?南韓新技術破解 ReRAM 研發難題

作者 | 發布日期 2014 年 05 月 27 日 8:17 | 分類 尖端科技 , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破,韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極,研發出電阻轉換測量科技,或許有望解決 ReRAM 量產的最大障礙。

本篇文章將帶你了解 :
  • 下代記憶體問世有望?南韓新技術破解 ReRAM 研發難題
  • 關鍵字: , , , ,