次代記憶體大廝殺!三星發表 MRAM 要給 Note 8 用?

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 28 日 10:00 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


次世代記憶體大戰開打,英特爾研發「3D cross point」技術,擬推「PRAM」。三星電子不甘示弱,發表「MRAM」(magnetoresistant random access memory,磁阻式隨機存取記憶體),號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。

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