力積電傳擬和日本新創企業合作，目標量產 MRAM

台灣晶圓代工大廠力積電（PSMC）傳出將和日本新創企業合作，目標在 2029 年量產磁阻式隨機存取記憶體（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory），將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第 2 期工程產線進行量產。

日經新聞4日報導，力積電將在2024年上半年和發源於日本東北大學、從事半導體技術研發的新創企業「Power Spin」進行合作，目標量產MRAM。據報導，東北大學長年來持續研究MRAM，而Power Spin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產後，目標在2029年開始進行量產，期待可應用於生成式AI用資料中心。

報導指出，力積電攜手日本網路金融巨擘SBI Holdings，計劃在日本宮城縣興建晶圓廠，而該晶圓廠將分為2期工程，第1期工程目標2027年投產、第2期工程目標2029年投產，而力積電預計將利用第2期工程產線，於2029年量產MRAM。

據報導，理論上來說，MRAM耗電力可壓低至現行記憶體（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且寫入速度快、即便切斷電源資料也不會消失，不過除了製造成本高之外，和現行記憶體相比，耐久性、可靠性等問題仍需克服，而力積電計劃藉由量產壓低MRAM成本。

據報導，美國半導體大廠Everspin Technologies已量產MARM產品，而Power Spin首席技術長遠藤哲郎（東北大學教授）指出，2022年MRAM市場規模達300億日圓。

力積電、SBI 2023年10月31日宣布，雙方計劃在日本興建的首座晶圓廠確定將落腳宮城縣、已選定宮城縣黑川區大衡村的第二北仙台中央工業園區為預定廠址。上述晶圓廠將分為2期工程，第1期工程目標2027年投產、以12吋矽晶圓換算的月產能為1萬片，將生產40nm、55nm晶片，第2期工程預計2029年投產，除上述40nm、55nm產品之外，也將生產28nm以及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技術的晶片，屆時工廠滿載生產時、月產能將達4萬片。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：科技新報）