工研院:台積電切入新興記憶體具優勢

作者 | 發布日期 2020 年 08 月 11 日 17:30 | 分類 記憶體 , 零組件 line share follow us in feedly line share
工研院:台積電切入新興記憶體具優勢


隨著人工智慧趨勢興起,台積電擁有邏輯製程技術,將有望進入高階新興記憶體領域;工研院電子與光電系統研究所長吳志毅分析,一旦台積電跨足新興記憶體領域,將比既有記憶體廠商有優勢。

國際超大型積體電路技術研討會(VLSI)今天在新竹國賓飯店登場,吳志毅表示,隨著人工智慧崛起,電腦架構運算方式改變,需要新元件技術,包括磁阻隨機存取記憶體(MRAM)等新興記憶體適用於這類運算。

吳志毅說,屆時,記憶體廠商將會依據應用面分不同等級,符合低功耗與速度快的需求應用面,會由新興記憶體負責,傳統的快閃記憶體(Flash)及動態隨機存取記憶體(DRAM)還是持續存在。

吳志毅進一步說,既有的記憶體廠普遍缺乏邏輯製程技術,若要切入新興記憶體發展,其門檻難度高,台積電卻因為有邏輯製程技術,顯然較具有優勢。

吳志毅指出,工研院投入新興記憶體研發已超過 10 年,累積不少的人才與矽智財(IP),與台積電的合作不便公開,可以確定的是台積電在新興記憶體發展,工研院將會有貢獻。

(作者:張建中;首圖來源:科技新報)