搶自駕商機!瑞薩傳攜手台積電研發 FinFET SRAM

作者 | 發布日期 2014 年 12 月 16 日 10:12 | 分類 即時新聞 , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


日本媒體日刊工業新聞 16 日報導,全球微控制器(MCU)廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)已研發出一項新技術,藉由活用被稱為鰭式場效電晶體(FinFET)的先端半導體結構技術,成功將半導體記憶體「SRAM」的數據處理速度呈現飛躍性的增長。報導指出,瑞薩已利用台灣台積電台灣工廠的 16nm 製程技術生產出上述 FinFET SRAM 的試作品、並完成了性能測試,證實該 FinFET SRAM 的處理速度可較瑞薩現行產品提高 30% 以上水準、且耗電力可刪減 40%。

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