3 月底武漢新芯新廠動土儀式，中國 NAND Flash 產業邁入新紀元

中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在 2018 年年初開始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進的 3D-NAND Flash 為主要策略產品，代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產 NOR Flash 為主，月產能約為 2 萬片左右，在 NAND Flash 產業也展現強大的企圖心。

不同於國際 NAND Flash 大廠，武漢新芯選擇與飛索半導體（Spansion）共同合作開發 3D-NAND Flash 技術，並在去年完成初期晶片電氣測試後，持續往更高的堆疊數邁進，目標 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的產品來切入高成長性的閃存儲存產業，也透過盡早導入新技術的方式，縮短與現今國際 NAND Flash 大廠的差距。武漢新芯規劃的新廠產能為長期 20 萬片，產能的提升比需要伴隨未來技術開發的成熟。20 萬片為長期的最終計畫，非短期能達成，比較明顯的產出提升應該在 5~10 年之後。

國際 NAND Flash 大廠加速在中國布局生產製造

楊文得表示，英特爾大連廠自今年第四季加入生產行列的帶動下，來自中國生產的 NAND Flash 晶圓將佔全球的 8%，2017 年第三季前可超過 10%，顯示中國發展 NAND Flash 產業的積極度也讓國際大廠加速布局角度。

目前 NAND Flash 產業除三星量產 3D-NAND Flash，且已在各大 PC-OEMs 業者中獲得不錯的市佔率，第三代 3D-NAND Flash 也將完成產品測試階段，可望在 2016 下半年隨著新款筆記型電腦鋪貨的需求而開始量產。

其他 NAND Flash 業者也陸續加速 3D-NAND Flash 的開發，自今年下半年將可開始導入相關固態硬碟的需求應用而出貨。DRAMeXchange 預估 2016 年整體 NAND Flash 產業的 3D-NAND Flash 產出比重，將可快速攀升至 20%，較去年的 6% 有顯著成長，可讓相關固態硬碟的普及與滲透率成長更快速。

（首圖來源：Flickr/Intel Free Press CC BY 2.0）

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