環球晶半絕緣碳化矽晶圓 / 氮化鎵元件開發計畫獲補助

作者 | 發布日期 2016 年 09 月 30 日 9:30 | 分類 市場動態 , 晶片 , 會員專區 follow us in feedly


環球晶宣布,公司通過經濟部技術處 A+ 企業創新研發淬鍊計畫—「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(S.I.-SiC)晶圓及氮化鎵(GaN)元件的技術開發」,此補助計畫為期 3 年,預計執行期間至 108 年 7 月 31 日。環球晶表示,透過經濟部技術處 A+ 企業創新研發淬鍊計畫的協助,結合國內產、官、學、研相互的合作,將可建立台灣在全球高頻通訊上游原物料的供應鏈,未來將進一步結盟國內外相關產業。

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