中國國家記憶體基地武漢動土，要建 3 座全球最大 3D NAND 廠
作者 | 發布日期 2016 年 12 月 30 日 14:07 | 分類 手機 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
中國國家記憶體基地武漢動土，要建 3 座全球最大 3D NAND 廠


傾國家之力的中國長江存儲記憶體基地正式於今 30 日開工，而此項目前身為武漢新芯記憶體基地，在今年 3 月底舉行動土典禮，卻在歷經中國紫光與武漢新芯合體後，重新找地建新廠，強調要打造全球單座潔淨室面積最大的 3D NAND Flash 新廠！

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