紫光、南京敲定半導體基地建設，擴張 3D NAND Flash 產能
作者 | 發布日期 2017 年 01 月 19 日 14:59 | 分類 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
紫光、南京敲定半導體基地建設，擴張 3D NAND Flash 產能


中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露，未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠，而話才說沒多久，18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約。

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