中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露，未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠，而話才說沒多久，18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約。
18 日紫光集團與南京市政府正式就半導體產業基地項目進行簽約，包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨省長石泰峰、南京市委書記吳政隆等人都出席簽約儀式。
據悉，此次半導體基地投資主要將用於生產 3D NAND Flash、DRAM 等記憶體晶片，土地面積約 1500 畝，一期將投入約 100 億美元，目標月產能約 10 萬片，但官方並未透露量產的明確時程。
紫光集團先前聯合武漢新芯共組長江存儲，有意從 3D NAND Flash 取道進入記憶體產業，技術來源就是與現已併入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）合作，傳聞雙方目標在 2017 年或 2018 年初推出 32 層堆疊 3D NAND Flash，然目前仍未有動靜，長江存儲近日甚至發布新聞稿澄清，從未發表過 32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息，目前連要生產的產品都還未有著落。
紫光/長江存儲量產 3D NAND Flash 產品的廠房日前才在 12 月底動土，項目總投資金額約 240 億美元，預期於 2018 年完成建廠投產、2020 年完成整個項目，總產能將達到 30 萬片一個月。紫光集團趙偉國在 11 日喊出 2017 年將在南京與成都再投資半導體製造基地，這三個基地的總投資金額超過 700 億美元。
紫光與成都政府去年 12 月 13 日已簽署《紫光 IC 國際城項目合作框架協議》規劃於成都建廠，現在 18 日再與南京市政府簽約，就看紫光何時真正開始展開建設！
（首圖來源：中國荔枝新聞）
