紫光、南京敲定半導體基地建設,擴張 3D NAND Flash 產能 作者 liu milo | 發布日期 2017 年 01 月 19 日 14:59 | 分類 晶片 , 會員專區 | edit 本篇文章將帶你了解 :紫光、南京敲定半導體基地建設,擴張 3D NAND Flash 產能中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露,未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠,而話才說沒多久,18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約。本篇文章將帶你了解 :紫光、南京敲定半導體基地建設,擴張 3D NAND Flash 產能 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 南京 , 武漢新芯 , 紫光 , 趙偉國 , 長江存儲