北美資料中心需求支撐，Server DRAM 漲勢延續

根據 TrendForce 旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，2018 年第一季在供需仍然略為吃緊的狀況下，Server DRAM 價格將持續上揚；同時由於 2666Mhz / 2400Mhz 正式取代 2133Mhz 的產出， 高頻寬伺服器模組將會逐漸成為市場主流。

自 2017 年第三季起，Server DRAM 隨著北美資料中心建案而供貨吃緊進而帶動整體漲幅，備貨超出預期。展望今年上半年，因 DRAM 製造商對產能計畫趨於保守，實質新產能開出時間將會遞延至下半年，導致上半年供給受限，整體市場供給仍吃緊，預期至少今年上半年 Server DRAM 漲價格局將延續。

從目前 Server DRAM 報價來看，除長期協議（Long-Term Agreement）客戶已談定報價外，在 DDR4 32GB RDIMM 價格皆已協議在 300 美元水準，伺服器二線代工廠將會鎖定在 310 美元大關， 相較於 2017 年第四季，平均季漲幅將維持 3-5%。

Server DRAM 製程轉進 1X 奈米，三星產能大幅領先

觀察各廠 Server DRAM 產出製程，三星今年的重點將會加速提高 18 奈米製程的投片，同時 SK 海力士與美光陣營也分別會開出在 18 與 17 奈米的製程，進而提升自家高容量伺服器模組的比重。

若從競爭格局來看，製程領先的三星，將會在今年第一季大幅轉進至 18 奈米的投片量，18 奈米製程將占自家產能逾半的比重，大幅領先其他 DRAM 供應商；然而，SK 海力士與美光則會隨著良率改善而有效率的做產能分配，預期今年底 1x 奈米製程會占兩家公司整體產能的三成比重。

此外，大多數伺服器廠皆已陸續開始驗證 DRAM 原廠先進製程的樣品，DRAMeXchange 預估，第二季轉進至 17 與 18 奈米製程的產量會較具規模，並冀望第四季前 17 / 18 奈米製程的產品滲透率達到近四成水準，可預期的是應用於伺服器的高容量模組如 32GB DDR4 2666Mhz RDIMM 滲透率將提升。

（首圖來源：shutterstock）