英特爾與美光在 3D NAND 96 層後終止合作,將各自尋找合作夥伴

作者 | 發布日期 2018 年 03 月 01 日 14:45 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


英特爾與美光於 2018 年 1 月 8 日共同宣布,在完成第三代 3D NAND Flash 研發後,雙方將開啟各自的研發之路,雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash,預計第三代將可堆疊 96 層,也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發,英特爾將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響,但在確定分家之後,雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據 TrendForce 記憶體存儲研究(DRAMeXchange)調查,英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫,雙方可望建立正式銷售合作關係。

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