全球晶圓設備支出再創連 4 年大幅成長紀錄

根據 2018 年 2 月 28 日公布的「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast）最新內容中指出，2019 年全球晶圓廠設備支出將增加 5%，連續第 4 年呈現大幅成長（見下圖）。除非原有計畫大幅變更，中國將是 2018、2019 年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。全球晶圓廠投資態勢強勢，自 1990 年代中期以來，業界就未曾出現設備支出金額連續 3 年成長的紀錄。

SEMI（國際半導體產業協會）預測，2018 和 2019 年全球晶圓廠設備支出將以三星（Samsung）居冠，但投資金額都不及 2017 年的高點。相較之下，為支援跨國與本土的晶圓廠計畫，2018 年中國的晶圓廠設備支出較前一年將大幅增加 57%，2019 年更高達 60%。中國設備支出金額預計於 2019 年超越南韓，成為全球支出最高的地區。

繼 2017 年投資金額刷新紀錄後，2018 年南韓晶圓廠設備支出將下滑 9% 至 180 億美元，2019 年將再下滑 14% 至 160 億美元，不過這兩年的支出都將超過 2017 年之前水準。至於晶圓廠投資金額全球排名第三的台灣，2018 年晶圓設備支出將下滑 10%，約為 100 億美元，不過 2019 年預估將反彈 15%，增至 110 億美元以上。

一如先前預期，隨著先前所興建的晶圓廠進入設備裝機階段，中國的晶圓廠設備支出持續增加。2017 年中國有 26 座晶圓廠動工刷新紀錄，今明兩年設備將陸續開始裝機（見下圖）。

在中國所有晶圓廠設備投資仍以外資為主。不過 2019 年本土企業可望提高晶圓廠投資，占中國所有相關支出的比重也將從 2017 年的 33%，增至 2019 年的 45%。

產品類別支出

3D NAND 將是支出最高的產品類別，2018 年及 2019 年將各成長 3%，金額分別達到 160 億美元和 170 億美元。2018 年 DRAM 將強勁增長 26%，達 140 億美元，但 2019 年將下滑 14%，至 120 億美元。為了支援 7 奈米製程相關投資和提高新產能，2018 年晶圓代工業設備支出將增加 2%，達 170 億美元，2019 年則成長 26%，達 220 億美元。

（首圖來源：shutterstock）