Tag Archives: 3d nand

晶片戰升級！長江存儲以八項 3D NAND 專利向加州法院控告美光侵權
作者 |發布日期 2023 年 11 月 12 日 9:44 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 國際貿易

美國加州公告中國最大 3D NAND Flash（快閃記憶體）廠商長江存儲，11 月 9 日正向控告美國記憶晶片龍頭美光（Micron）及其全資子公司美光消費產品集團，侵犯長江存儲 8 項 3D NAND 美國專利，這代表著美中晶片戰的升級。

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長江存儲列入實體清單，2024 年後恐淡出 3D NAND 市場
作者 |發布日期 2022 年 12 月 16 日 15:30 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

全球市場研究機構 TrendForce 指出，美國商務部於 12 月 15 日正式將長江存儲（YMTC）列入實體清單（Entity List），未來所有進口、轉口或買賣美國商品前，皆須獲美國商務部許可，此舉將使長江存儲難購得美國設備商技術支援及設備零件，大幅限制位元成長可能性，以及恐導致 2024 年後淡出 3D NAND 市場。 繼續閱讀..

SK 海力士預測儲存未來：3D NAND 600 層以上，DRAM 10 奈米以下
作者 |發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 |
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分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體

最近 IEEE 國際可靠性物理研討會，SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為，層數增加到 600 層以上，可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外（EUV）光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下，以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備，以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..

宇瞻科技發表微型抗震 SV170-µSSD 搭載 3D NAND，全面提升容量與速度
作者 |發布日期 2018 年 09 月 03 日 13:50 |
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分類 儲存設備 , 市場動態 , 晶片

全球工控記憶體品牌 Apacer 宇瞻科技看好物聯網的大數據與快數據，以及近來物聯網邊際運算與儲存等對大容量、高速讀寫、且兼具高效能的需求急速攀升，推出以最新技術 3D NAND 打造的工控級超小型嵌入式儲存裝置 SV170 -µSSD，突破 2D 平面瓶頸提升儲存容量，同時封裝整合控制器與快閃記憶體挑戰空間極限，積極搶攻全球虛擬化應用、網路設備、工業自動化監控、國防應用，以及智慧車載等市場；而 SV170 -µSSD 的微型化特色更能完美導入於嵌入式系統與輕薄型運算裝置，加速以數據為中心的各種應用需求，持續挹注新一波儲存熱潮。 繼續閱讀..

產能壓力與廠商策略性搶市，第二季企業級 SSD 合約價均價續跌一成
作者 |發布日期 2018 年 05 月 17 日 14:05 |
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分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，企業級 SSD 市場近年來受惠於資料中心、AI、大數據、5G、邊緣運算等成長題材帶動，出貨量從 2016 年的不到 2,000 萬台規模，成長至今年有機會挑戰 3,000 萬台水準。若是以企業級 SSD 位元出貨量來看，2016 年至 2018 年間，年成長率都超過 50%，在所有 NAND Flash 應用產品中，成長動能最為強勁，未來 3 年內仍會維持高速成長的步調。 繼續閱讀..

中國首批 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片料今年內量產
作者 |發布日期 2018 年 04 月 12 日 11:00 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

新華社報導，中國位於武漢「中國光谷」的國家記憶體基地專案晶片生產機台 11 日正式進場安裝，這表示國家記憶體基地從廠房建設階段進入量產準備階段，中國首批擁有完全自主智慧財產權的 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片將於年內量產，填補中國在主流記憶體領域的空白。 繼續閱讀..

全球晶圓設備支出再創連 4 年大幅成長紀錄
作者 |發布日期 2018 年 03 月 13 日 10:55 |
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分類 市場動態 , 晶片 , 零組件

根據 2018 年 2 月 28 日公布的「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast）最新內容中指出，2019 年全球晶圓廠設備支出將增加 5%，連續第 4 年呈現大幅成長（見下圖）。除非原有計畫大幅變更，中國將是 2018、2019 年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。全球晶圓廠投資態勢強勢，自 1990 年代中期以來，業界就未曾出現設備支出金額連續 3 年成長的紀錄。 繼續閱讀..

擴產與淡季影響，2018 年第一季 NAND Flash 產業供過於求致價格走跌
作者 |發布日期 2017 年 12 月 11 日 14:25 |
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分類 儲存設備 , 記憶體 , 財經

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）研究指出，2018 年第一季在需求端面臨傳統淡季的衝擊，預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%，而伺服器需求相對持平，整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0~5% 下跌。另一方面，NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率，位元產出成長亦較第四季高於 5%，預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢，2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 wafer 等合約價皆將翻轉走跌。 繼續閱讀..