Tag Archives: 3d nand

叫陣三星 400 層！鎧俠、Sandisk 發表全球最高儲存密度 3D NAND
作者 |發布日期 2026 年 07 月 08 日 12:04 |
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分類 半導體 , 記憶體

鎧俠（Kioxia）與 Sandisk 上週宣布，已開始提供最新 332 層 3D NAND Flash 記憶體樣品。新一代產品 BiCS10（第 10 代 BiCS）3D TLC NAND 主要鎖定資料中心儲存應用，不僅兼顧高密度與高效能，儲存密度方面更有望超越三星最新 V10 世代 400 層 3D NAND。 繼續閱讀..

吳敏求：旺宏整體營運將會一季比一季更好，要成為賺錢的供應商
作者 |發布日期 2026 年 04 月 27 日 17:30 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

旺宏在 27 日的法說會上公布 2026 年第一季財務報告。受惠於終端市場強勁需求、產品價格調漲以及缺貨潮的推波助瀾，旺宏在第一季繳出轉虧為盈的成績單，不僅營收大幅度成長，毛利率更一舉突破四成大關。董事長吳敏求對未來展望保持高度樂觀，直言 2026 年將是非常有趣的一年，整體營運將會「一季比一季更好」，並預期產能利用率將於下半年達到滿載。

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晶片戰升級！長江存儲以八項 3D NAND 專利向加州法院控告美光侵權
作者 |發布日期 2023 年 11 月 12 日 9:44 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 國際貿易

美國加州公告中國最大 3D NAND Flash（快閃記憶體）廠商長江存儲，11 月 9 日正向控告美國記憶晶片龍頭美光（Micron）及其全資子公司美光消費產品集團，侵犯長江存儲 8 項 3D NAND 美國專利，這代表著美中晶片戰的升級。

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長江存儲列入實體清單，2024 年後恐淡出 3D NAND 市場
作者 |發布日期 2022 年 12 月 16 日 15:30 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

全球市場研究機構 TrendForce 指出，美國商務部於 12 月 15 日正式將長江存儲（YMTC）列入實體清單（Entity List），未來所有進口、轉口或買賣美國商品前，皆須獲美國商務部許可，此舉將使長江存儲難購得美國設備商技術支援及設備零件，大幅限制位元成長可能性，以及恐導致 2024 年後淡出 3D NAND 市場。 繼續閱讀..

SK 海力士預測儲存未來：3D NAND 600 層以上，DRAM 10 奈米以下
作者 |發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 |
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分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體

最近 IEEE 國際可靠性物理研討會，SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為，層數增加到 600 層以上，可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外（EUV）光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下，以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備，以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..

宇瞻科技發表微型抗震 SV170-µSSD 搭載 3D NAND，全面提升容量與速度
作者 |發布日期 2018 年 09 月 03 日 13:50 |
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分類 儲存設備 , 市場動態 , 晶片

全球工控記憶體品牌 Apacer 宇瞻科技看好物聯網的大數據與快數據，以及近來物聯網邊際運算與儲存等對大容量、高速讀寫、且兼具高效能的需求急速攀升，推出以最新技術 3D NAND 打造的工控級超小型嵌入式儲存裝置 SV170 -µSSD，突破 2D 平面瓶頸提升儲存容量，同時封裝整合控制器與快閃記憶體挑戰空間極限，積極搶攻全球虛擬化應用、網路設備、工業自動化監控、國防應用，以及智慧車載等市場；而 SV170 -µSSD 的微型化特色更能完美導入於嵌入式系統與輕薄型運算裝置，加速以數據為中心的各種應用需求，持續挹注新一波儲存熱潮。 繼續閱讀..