SK 海力士正在測試東京威力科創（TEL）最新的低溫蝕刻工具，可在 -70°C 工作，以實現 400 層以上新型 3D NAND。
消息人士透露，SK 海力士已將測試晶圓送至 TEL 實驗室測試，而不是裝在自家晶圓廠。這有助 SK 海力士評估潛力，TEL 新型蝕刻設備可在 -70°C 超低溫高速蝕刻，與 0~30°C 現有蝕刻設備不同。
TEL 最新蝕刻設備可在短短 33 分鐘內完成 10 微米深高深寬比蝕刻，比現有工具快三倍以上，為氧化物蝕刻。大幅提高 3D NAND 生產效率，有望重塑 3D NAND 設備的生產時間和產出品質。
消息人士指出，SK 海力士將在 321 層 NAND 使用三層堆疊（triple-stack）結構。要蝕刻均勻性良好的深層記憶體通道孔是大挑戰，業界大都採用雙層堆疊甚至三層堆疊製造 3D NAND，因蝕刻垂直孔相當困難。
因此採用 TEL 新型蝕刻設備後，未來可能以較少堆疊層數製造 400 層以上 3D NAND。SK 海力士目標是生產 400 層以上 NAND，且根據性能，這些 NAND 有機會採單層或雙層堆疊結構。
當使用更少堆疊封裝更多層數，能使記憶體製造商降低成本，因製程變簡單。此外，SK 海力士和三星也在研究使用低溫蝕刻設備，以降低碳排放。
TEL 設備以氟化氫代替氟化碳，大量減少溫室氣體排放，三星也在自家晶圓廠測試 TEL 試用版。
- SK Hynix testing Tokyo Electron’s cryo etching equipment
- Chipmaking to go subzero — 3D flash memory manufactured at -70C with next-gen tool
（首圖來源：SK 海力士）
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