長江存儲控告美光侵犯 11 項專利，要求停止在美販售侵權產品

中國記憶體大廠長江存儲 9 日在加州北區法院控告美光侵犯 11 項專利，範圍涉及 3D NAND 相關技術，要求法院停止美光在美銷售美光記憶體，同時要求獲得權利金費用。

長江存儲指出，美光 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)、232 層(B58R)的3D NAND記憶體，以及美光部分 DDR5 SDRAM 產品(Y2BM-系列)，侵犯公司在美申請的 11 項專利權。

鄉民 @lithos_graphein 在 X 平台上收集的專利申請清單顯示，這些專利申請涵蓋 3D NAND 和 DRAM 功能的一般層面。外媒認為，長江存儲目的是讓美光日子更難過，以在與美國政府抗衡時獲得籌碼。

美國商務部 2022 年底將長江存儲列入黑名單，使其難獲得先進晶圓廠設備，又於去年禁止銷售製造超過 128 層 3D NAND 晶圓廠設備和技術，對長江存儲是一大打擊。與此同時，中國政府則禁止當地政府機構 PC 使用美光記憶體做為反制。

儘管受到嚴格制裁，長江存儲仍持續發展 3D NAND 記憶體。該公司 Xtacking 3.0 快閃記憶體已開始量產，並努力開發採 Xtacking 4.0 架構 3D NAND。長江存儲也已成功將 3D QLC NAND 耐久性大幅提升至 3D TLC NAND 的水準，大幅改善便宜的 SSD 特性。