平均銷售單價續揚帶動，DRAM 第一季營收季增 5.4% 再創新高

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價格走勢，除了繪圖用記憶體（graphic DRAM）受惠於基期較低以及虛擬挖礦（cryptocurrency）需求的增溫，帶動價格有 15% 顯著上漲外，其餘各應用別的記憶體在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營收較 2017 年第四季成長 5.4%，再創新高。

DRAMeXchange 資深研究協理吳雅婷指出，觀察第二季價格走勢，PC-OEM 廠已陸續議定第二季合約價格。就一線大廠訂價來看，均價已來到 34 美元，較上一季平均漲幅約達 3%。從市場面來觀察，由於伺服器需求較佳、毛利高、獲利空間較大，一線 DRAM 大廠持續將產能轉往伺服器記憶體，加上全球 DRAM 產能將於年底才會逐漸開出，使得標準型記憶仍維持價格上揚格局。

觀察全球 DRAM 大廠營收表現，三星依然穩坐 DRAM 產業的龍頭，第一季營收再度創下歷史新高，達 103.6 億美元，較上季成長 2.9%；SK 海力士第一季營收達 64.3 億美元，較前季成長 2.2%，兩大韓廠第一季的出貨量受到手機需求疲弱影響皆略有下滑，營收市占率分別為 44.9% 與 27.9%，合計約 73%，較前一季微幅下降。

美光集團仍舊維持第三，不過美光在報價上相對積極，今年上半年持續扮演市場中的價格領導者（price leader），價格上漲幅度高於其他兩家韓廠，第一季價格上揚幅度超過 10%，帶動營收達 52.1 億美元，季增 14.3%，市占率較前一季提升約 2 個百分點，來到 22.6%。

從營益率表現來看，三星第一季營業利益率再創歷史新高，由 64% 提升至 69%；SK 海力士亦從第四季的 59% 再提升至 61%，兩家韓廠營業利益率雙雙突破 6 成；美光則從 53% 再度拉升至 58%。展望第二季，受惠於 DRAM 價格持續上漲與製程轉進強化成本效益，三大廠在營收表現上可望再創新猷，各家獲利率亦可望進一步提升。不過，以三星為例，其營業利益率高達 69%，意味著毛利率已突破 8 成水位，顯示 DRAM 原廠獲利能力已遠高於買方能接受的程度，報價上揚幅度可能將趨緩。

觀察技術面，三星今年的目標除了維持 18nm 製程高產出占比（約 5-6 成），即將投入的平澤廠 2 樓 DRAM 產能，也將往下一代 16nm 製程轉進。至於 SK 海力士，已於去年底開始導入 18nm 的生產，然而進入 1Xnm 世代製程難度高、轉換不易，SK 海力士目前仍致力於提升其 18nm 的良率，其擴廠計畫則維持不變，中國無錫新建的第二座 12 吋廠仍照進度今年底前完工，最快要到 2019 上半年才會開始貢獻產出。而美光方面，台灣美光記憶體（原瑞晶）17nm 已完成 100% 轉換，台灣美光晶圓科技（原華亞科）則於第二季開始進行 20nm 往 17nm 的轉換，預計今年底將可望有半數產能轉往 17nm 生產。

台系廠商部分，南亞科受到轉進 20nm 帶來明顯的位元成長，加上價格持續走揚，第一季營收較前一季大幅成長 15.1%。20nm 的成本效益更帶動營業利益率提升至 44.3%，較上季成長 5 個百分點。展望未來，南亞科在 20nm 良率將繼續向上，透過產品組合持續優化的帶動，獲利表現將可望進一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、愛普等 IC 設計業者代工生意成長外，力晶本身 DRAM 事業的產品報價亦上揚，帶動 DRAM 營收較上季成長 8.2%；華邦方面 DRAM 營收則約略持平，季成長 1.2%，主要為利基型記憶體報價成長幅度較小所致。