受價格持續上揚帶動,第一季全球行動式記憶體產值再創新高

作者 | 發布日期 2018 年 05 月 21 日 16:05 | 分類 手機 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
受價格持續上揚帶動,第一季全球行動式記憶體產值再創新高


根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,去年下半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應,因此自去年第四季中開始,市場提早進入傳統淡季。品牌廠在歷經 3 個月的庫存水位調節後,於今年 2 月底才見市場需求轉旺,並重啟拉貨動能,其中又以旗艦新機需求的大容量記憶體居多。

整體而言,第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表,以及行動式記憶體平均單價上漲的影響,全球行動式記憶體產值來到 84.35 億美元,較去年第四季提升約 5.3%,一反以往第一季營收衰退的軌跡,再度刷新歷史紀錄。

展望第二季行動式記憶體產值表現,儘管合約價格漲幅趨緩,但受惠中國四大品牌華為、小米、OPPO、vivo 的需求持續看旺,以及 Android 陣營、蘋果陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響,預估第二季行動式記憶體總產值仍有機會較第一季成長。

DRAMeXchange 指出,以個別供應商的營收表現來看,三星做為全球第一大的 DRAM 供應商,最先受到中國發改委的關注,第一季及第二季的報價都因而較過去幾季收斂。行動式記憶體報價上的受限讓三星另謀出路,透過積極行銷大容量記憶體並且結合自家先進奈米製程技術,成功取得多數的大容量訂單,交出第一季營收 47.66 億美元的亮眼成績,鰲占市場龍頭寶座。製程進度上,三星的行動式記憶體幾乎已全採 18nm 製程,僅少數 LPDDR3 eMCP 組合還有微量供應 20nm 產品。

SK 海力士雖受惠第一季合約價格的上揚,但在新製程 18nm 初期良率不穩、產能不足的影響下,無法擴大旗艦機種用 LPDDR4 系列大容量 DRAM 的交付數量,第一季營收僅季增 2.2%。在行動記憶體的產品規劃方面,目前 SK 海士力仍以 21nm 的 LPDDR4 系列以及 25nm 微縮製程的 LPDDR3 供給為主,預估 18nm 產品(包含分離式以及 eMCP)要到第三季才會普及,全年新製程滲透率恐低於 10%。

美光集團第一季行動式記憶體營收達 14.08 億美元,較上一季成長 10.2%,成長幅度居三大主流供應商之冠,主要歸功於整體需求不減、價格上揚。在行動式記憶體製程技術方面,台灣美光記憶體(原瑞晶)第二季產品規劃仍以提高 17nm 製程比重為主,而在台灣美光晶圓科技(原華亞科)目前仍以 20nm 為主。其行動式記憶體產品規劃也改以 LPDDR4 系列為主流產品,預估全年占比將過半。

台系廠商部份,南亞科受惠 IDH 廠因成本(BOM cost)考量改採分離式(discrete DRAM+ discrete Flash)取代 eMCP,帶動 LPDDR3 4Gb 出貨增加,營收達 9,600 萬美元,較上一季成長 19.1%。其行動式記憶體製程技術目前仍以 30nm 微縮製程為主,未來南亞科將持續提高 20nm 占比,以增加獲利空間。華邦第一季由於產品應用範圍較小,需求起伏不大,第一季營收為 4,400 萬美元,較上一季成長 1.2%,表現平穩。

(首圖來源:三星