GaN 在 5G 射頻應用將脫穎而出 作者 拓墣產研 | 發布日期 2018 年 11 月 06 日 7:45 | 分類 晶片 , 會員專區 , 網通設備 | edit Loading... Now Translating... 相較目前主流的矽晶圓（Si），第三代半導體材料 SiC 與 GaN（氮化鎵）具備耐高電壓特色，並有耐高溫與適合在高頻環境下優勢，其可使晶片面積大幅減少，並簡化周邊電路設計，達成減少模組、系統周邊零組件及冷卻系統體積目標，GaN 應用範圍包括射頻、半導體照明、雷射器等領域。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知，時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 5G , GaN , LDMOS , 基地台
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