聯電涉美光竊密案遭罰 200 億美元？數字可能高估了

受到美國司法部訴訟案影響，聯電 5 日股價創下 3 年新低，根據美國在台協會的新聞資料，美國司法部可能對晉華和聯電罰款 200 億美元（約新台幣 6,200 億元），而這個價格已經是聯電市值的 4 倍以上。若罰款當真這麼高，將對聯電造成致命影響。不過，對此罰金，聯電表示，「在判決有罪確定之前，推定無罪」。

備份逾 900 份美光的機密和專利檔案

根據美國在台協會資料在起訴書中被告為台灣半導體聯華電子公司（聯電）、中國國營福建晉華積體電路公司（晉華），以及 3 名台灣人：55 歲的陳正坤、42 歲的何建廷和 44 歲的王永銘。

陳正坤為美光一家在台子公司台灣美光記憶體（MMT）的總裁，負責製造至少一種美光 DRAM 的晶片。陳正坤 2015 年 7 月從台灣美光記憶體辭職，並開始為聯電工作。

在聯電工作時，陳正坤協助聯電與晉華協商合作協議，藉由晉華提供資金，聯電將 DRAM 技術轉移給晉華進行量產，技術由聯電與晉華共享。陳正坤後來成為聯電執行合作協議的負責人，也就是將發展 DRAM 的技術轉移給晉華。陳正坤後來成為晉華的總經理，負責管理 DRAM 製造工廠。

在聯電工作時，陳正坤招募許多台灣美光記憶體的員工跳槽聯電，其中包括被告何建廷和王永銘。在離開台灣美光記憶體之前，何建廷和王永銘曾偷竊美光 DRAM 設計和製造的營業祕密，並將營業祕密帶到聯電。

例如，何建廷和王永銘竊取的機密和專利資料跟 DRAM 過去、現在和未來世代的技術相關，有些甚至還在研發階段。在離開台灣美光記憶體前，王永銘下載了超過 900 份美光的機密和專利檔案，並將檔案存到 USB 外接硬碟或個人雲端儲存裝置，如此一來他便可以在聯電工作時存取這些技術。

最高恐罰 200 億美元，分析師：高估

起訴書還指出，如果罪名成立，每間公司將面臨沒收和最重超過 200 億美元的罰款。

不過，多位分析師認為，這個數字可能高估了，聯電要被罰這個驚人的罰款並不容易，因為請求賠償基礎在於損失。聯電指出跟技術研發產品還沒有上市，並無實質損失，當聯電並未因為該技術而有獲利時，很難評估另外一方的損失。

對此，聯電發出聲明指出，「美國加州北區聯邦檢察官辦公室起訴本公司一案尚處於司法程序初期階段，距案件確定仍需漫長時日，媒體揭露之罰金數額為原告主張的最高金額。在判決有罪確定之前，推定無罪，本公司仍將配合司法調查並採取適當措施、提出證據抗辯，以捍衛本公司之權益。本公司目前評估此起訴對公司營運並無重大不利影響，未來將視案件發展，為適當之資訊揭露。」