GaN 在 5G 射頻應用將脫穎而出

作者 | 發布日期 2018 年 11 月 06 日 7:45 | 分類 晶片 , 會員專區 , 網通設備 Telegram share ! follow us in feedly


相較目前主流的矽晶圓(Si),第三代半導體材料 SiC 與 GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色,並有耐高溫與適合在高頻環境下優勢,其可使晶片面積大幅減少,並簡化周邊電路設計,達成減少模組、系統周邊零組件及冷卻系統體積目標,GaN 應用範圍包括射頻、半導體照明、雷射器等領域。

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