第三季 DRAM 產值再創新高，然原廠獲利能力恐已觸頂

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，2018 年第三季 DRAM 整體產業營收較上季成長 9%，再創歷史新高。觀察各產品別的報價走勢，除了繪圖用記憶體（graphic DRAM）
受到虛擬挖礦（cryptocurrency）需求驟減與基期太高的影響，出現 3% 左右的跌幅，以及消費性市場應用主流 DDR3 因需求轉弱而率先走跌外，其餘主流應用別的記憶體（包含標準型、伺服器、行動式記憶體）仍維持 0-2% 的季漲幅。

DRAMeXchange 指出，有別於過去兩年多來營收成長主要由報價上揚所帶動，由於 DRAM 產能已在下半年陸續開出，第三季價格漲幅基本已接近持平，因此營收成長主要來自於位元出貨量的持續提升。展望第四季，10 月份的 DRAM 合約價已經正式走跌，除了宣告 DRAM 價格漲勢告一段落，供過於求加上高庫存水位的影響更導致價格跌幅劇烈。預期在供給端、通路端、採購端庫存尚未去化完全前，2019 年第一季的合約價恐將面臨更大的跌價壓力。

從營收角度觀察，DRAMeXchange 指出，在產業邁向反轉之際，小廠受到的衝擊較龍頭廠來的即時且劇烈，因此大小廠商的表現在第三季開始出現分歧。產業龍頭三星受惠於新增產能逐漸放量，位元出貨成長顯著，儘管平均銷售單價未有明顯變化，但營收仍較上季成長 13.6%，來到 127.3 億美元的新高，在三大廠中表現最為亮眼。而 SK 海力士在產出提升及平均銷售單價小幅上揚 1% 的挹注下，營收季增 6.0% 至 81.5 億美元。兩大韓廠營收市占分別為 45.5% 與 29.1%，合計約 74.6%。

美光集團依舊維持第三，雖然銷售單價約略持平，但位元出貨提升仍帶動營收來到 59.2 億美元，較前一季成長 6.8%，市占率則約略持平在 21.1%。

觀察原廠獲利能力，即便第三季平均銷售單價的漲幅已大幅收斂，然各廠仍持續靠著轉進先進製程優化成本結構，使得營業利益率仍較前一季上揚。三星的 1Ynm 在第三季開始出貨，因新一代製程在量產初期通常良率較低，拖累部分獲利表現，導致三星的營業利益率在三大原廠中成長幅度最小，由前一季的 69% 微幅上升至 70%，但仍創下歷史新高，亦顯示生產 DRAM 的毛利已突破 8 成水位。

至於 SK 海力士，本季 1Xnm 的良率顯著提升，帶動營業利益率從 63% 成長至 66%，表現最為亮眼。美光受惠 1Xnm 的比重持續提升，拉抬營業利益率從 60% 升至 62%。三大原廠營業利益率持續刷新紀錄，但在第四季 DRAM 價格已正式反轉向下且跌幅顯著的情況下，成本優化可能已無法抵銷報價下滑的衝擊，因此原廠獲利的高點恐已結束。

由技術面觀察，三星今年除了維持 1Xnm 製程高產出比重外，部分 Line 17 增加的投片以及平澤廠 2 樓的 DRAM 產能，將往下一代 1Ynm 製程轉進。隨著平澤廠產能於今年下半年陸續開出，1X+1Ynm 產出比重在年底合計將達 70%，並於 2019 年持續提升 1Ynm 占比。SK 海力士經過兩季的調整與改良，1Xnm 良率在第三季顯著提升，而中國無錫的第二座 12 吋廠仍照進度將於年底前完工，並於 2019 上半年開始貢獻產出，但受到中美貿易戰的影響，無錫廠擴增投片的腳步不會太積極。而美光方面，台灣美光記憶體（原瑞晶）已全數以 1Xnm 生產，下一步將直接轉往 1Znm，但實際貢獻將落在 2020 年；台灣美光晶圓科技（原華亞科）已於第二季進行 20nm 往 1Xnm 的轉換，年底前將開始轉往 1Ynm，並於明年逐步提升比重。

台系廠商部分，南亞科第三季出貨量小幅下滑，使營收表現較前一季衰退 3.7%。不過在 20nm 的成本效益帶動下，營業利益率仍舊由上一季的 46.8% 大幅提升至 51.0%。然而，受到 DRAM 報價反轉向下影響，加上南科擴廠的折舊費用要開始攤提，獲利能力要再攀升恐有一定壓力。

力晶科技方面，由於第三季轉移較多產能至獲利較好的 SLC NAND 與非 DRAM 代工產品，因此本身 DRAM 營收較上季下滑 13.3%；華邦 DRAM 營收則約略持平，出貨量和平均銷售單價皆呈現穩定。