旺宏電子董事會決議通過明年新增資本支出新台幣 8.65 億元，並繼續與 IBM 合作開發相變化記憶體。
儘管記憶體行情明年不被看好，但旺宏對於未來展望仍審慎樂觀，預期高階快閃型記憶體如 NOR Flash 等市場仍會持續成長，產品價格應還算穩定。且在今年 10 月底通過資本支出預算為新台幣 142 億元，自第 4 季起開始投資，以提升公司 12 吋晶圓廠高階產能及研發需求。
董事長吳敏求於此前法說會時曾強調，將把製程從 36 奈米升級至 19 奈米，以強化 NAND Flash 的競爭力。且自 2001 年開始，旺宏就已成立前瞻技術實驗室，並且投入相變化記憶體的研發，2004 年與 IBM 簽署「合作研發相變化非揮發性記憶體」聯盟協定，如今過了十幾年，仍然沒有放棄。
相變化記憶體（Phase-change memory，PCM）是一種非揮發性記憶體裝置，其特色是使用硫族化物玻璃（Chalcogenide glass）製成。硫屬玻璃的特性是透過改變溫度可以成為晶體或非晶體並具有不同的電阻，以此來儲存不同的數值，是未來可能取代快閃記憶體的技術之一，目前許多國際大廠如英特爾、三星等都有投入研發。
IBM 指出，PCM 的速度比現有的快閃記憶體快近百倍，而讀寫次數甚至可達千萬次，而英特爾和美光在近年所推出的 3D Xpoint 技術更號稱是比閃存快 1,000 倍的技術。目前 PCM 的試驗品已展現出極佳的性能，尤其是製程的進步將使 PCM 技術趨於成熟，但降低成本恐怕才是最大的挑戰。目前在中國方面也有消息稱，江蘇時代芯存半導體即將於明年第一季量產 PCM 記憶體。
雖然 PCM 記憶體技術看似即將成熟，但到普及恐怕還需要一點時間，但為了因應新興科技的發展，高速儲存裝置仍然是不可或缺的技術，也是市場關注的焦點。旺宏表示，記憶形式的儲存級記憶體是未來的趨勢。
（首圖來源：旺宏）
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