貿易戰升溫敏感時刻,中國龍頭記憶體廠高調秀技術的盤算

作者 | 發布日期 2019 年 06 月 09 日 0:00 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly


美國總統川普 5 月初才宣布與中國協商破局,不僅針對中國部分輸美商品提高關稅至 25%,後又對華為展開制裁行動,引發全球主要廠商跟風,市場充滿肅殺氣氛;就在 5 月 15 日,第 7 屆全球半導體聯盟記憶體論壇(GSA Memory+Conference)在中國上海浦東文華東方酒店舉行,在這個非常時機點,論壇上的一舉一動都顯得格外敏感。

兩年一度的全球記憶體論壇,每年都會邀請與吸引重量級記憶體廠商共襄盛舉,今年包括三星、美光(Micron)、東芝、應用材料(Applied Materials)、威騰電子(Western Digital)、瑞薩(Renesas)、群聯、長江存儲、合肥長鑫等都是演講或與會嘉賓。《財訊》也前往上海參與這場盛會,直擊在中美貿易戰急遽升溫的氛圍中,中國記憶體產業的微妙變化。

今年最大亮點,是中國最大儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠商長江存儲,與最大動態隨機存取記憶體(DRAM)廠商合肥長鑫存儲首次出席該場合,並對外揭櫫技術來源與量產進度。尤其,美中貿易戰正打得火熱,在業界向來行事相當低調的長江存儲與合肥長鑫,這次如此反常的高調舉動透露出許多市場訊息。

兩大產業龍頭反常亮相  三大變化透露中國實力

全球半導體聯盟記憶體論壇是國際性的盛會,過去曾在美國、日本、台灣及中國輪流舉行,但繼 2 年前在中國舉辦後,今年是連續第二次移師中國上海舉辦。全球半導體聯盟(GSA)指出,這是因為中國對記憶體產線的投資較高,以及雲端計算和行動運算系統用戶的快速增長,再加上在中國有較多的新進者和新技術轉型的廠商,因此決定移師中國。

今年,長江存儲執行董事長高啟全、合肥長鑫存儲董事長暨執行長朱一明,都首次受邀擔任全球半導體聯盟記憶體論壇會議諮詢委員會(Conference Advisory Committee)成員;同時,長江存儲共同技術長湯強、朱一明也第一次受邀成為演講嘉賓,「這代表國際已經認同中國記憶體廠商的地位與重要性!」一位中國記憶體廠商高層解讀。

變化 1》急起直追  國際地位與能見度大增

過去,無論是長江存儲、合肥長鑫存儲或福建晉華,身為記憶體產業的後進者,再加上全球主要的核心技術專利都已掌握在三星、SK 海力士、美光、東芝、威騰電子、英特爾等南韓、日本、美國大廠手中,因此最被外界用放大鏡解讀的就是技術來源的合法性,智慧財產權一直是巨大的爭議,更是美中貿易戰的攻防重點。

尤其,2018 年 11 月 1 日,美國司法部正式起訴中國國營 DRAM 廠商──福建晉華積體電路公司、聯電,還有福建晉華總裁陳正坤、何建亭及王永明 3 名台灣人,指控他們涉嫌共謀竊取美光估值高達 87.5 億美元的商業機密;美國商務部也以基於國家安全和經濟考量,將福建晉華列入出口管制實體名單,禁止美國企業對該公司出售技術或產品,這讓中國記憶體產業一度風聲鶴唳。

▲ 長江存儲共同技術長湯強,首次公開將於 8 月推出新一代 3D NAND Flash 技術架構 Xtacking 2.0 技術。

變化 2》搶先消毒  拉高分貝公布技術來源

但朱一明這次在論壇中,首次高調對外公布合肥長鑫存儲 DRAM 技術,是來自於已破產的德國 DRAM 廠奇夢達(Qimonda),以及倒閉並被美光收購的日本 DRAM 公司爾必達(Elplda Memory)前員工。「長鑫存儲通過與奇夢達合作,取得 1,000 多萬份有關 DRAM 的技術文件及 2.8TB(兆位元組)數據,這是公司最初的技術來源之一。」朱一明強調,除了技術來源之外,再透過自主研發,至今長鑫存儲已經擁有 16,000 項專利申請,以及累計投產超過 15,000 片的晶圓。

據了解,2017 年 5 月,合肥長鑫存儲宣布投資 72 億美元,建設 3 期工程,目前是第 1 期工程興建 12 吋晶圓廠,月產能可達 12.5 萬片晶圓。據悉,合肥長鑫存儲也將於今年第 4 季,正式量產 8GB LPDDR4 規格的 DRAM 晶片。

此外,朱一明還罕見地大方公開供應鏈合作夥伴,包括艾司摩爾(ASML)、科磊(KLA-Tencor)、泛林集團(Lam Research)、東京威力科創(TEL)、應用材料等國際半導體設備與測試儀器大廠,頗有凸顯具備量產技術能量和技術正當性的意味。

其實福建晉華事件後,市場便傳出,美國司法部與商務部下一個要制裁對象,就是合肥長鑫存儲,因此這次朱一明一改往常的低調作風,如此「高調演出」,也不免讓外界聯想就是為了避免淪為下一個「福建晉華」的防堵措施。朱一明還在演講最後提到,「公平競爭、透明、倫理及承諾是關鍵的成功要素,開放全球夥伴關係與投資是必要的」。

同樣備受矚目的,長江存儲共同技術長湯強也在演講中宣布,將在今年 8 月正式推出新一代 3D NAND Flash 技術架構 Xtacking 2.0 技術。

變化 3》力拚地位  加快研發與量產進程

2013 年,長江存儲先後從 IBM、中國科學院微電子研究所、清華大學、復旦大學、上海微系統所取得超過 1,500 項專利授權;2015 年又與美國 NOR Flash 大廠飛索半導體(Spansion)技術合作,開發 3D NAND Flash,並針對 3D NAND Flash 研發出 Xtacking 技術架構,號稱可以加快 I / O(輸入 / 輸出)接口速度、提高儲存容量及縮短上市時程。

他也透露,「今年即將推出的新一代 Xtacking 2.0 技術,屆時有望將長江存儲的 3D NAND Flash 提升到一個新高度」。讓外界對於 Xtacking 2.0 技術有高度期待,同時也觀察出中國記憶體廠正在加快研發與量產進程。從 2017 年推出 Xtacking 技術架構後,短短 2 年的時間內,長江存儲又再推出新一代技術架構 Xtacking 2.0。

隨著長江存儲與合肥長鑫存儲產品量產在即,外界也在高度關注 2020 年後,將對於全球 NAND Flash 與 DRAM 產業所帶來的衝擊。對此群聯董事長潘健成觀察,「(中國 NAND Flash 龍頭)長江存儲是很有實力的公司!」經過 3 年的技術累積,已經可以開始投產,未來在產業也將會有一席之地。

(本文由 財訊 授權轉載;首圖為合肥長鑫存儲董事長暨執行長朱一明)