Cree 專注於功率及射頻元件開發,後續發展需持續觀察

作者 | 發布日期 2019 年 07 月 05 日 7:30 | 分類 晶圓 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


全球 SiC 晶圓市場規模約為 8 千多億美元,SiC 晶圓與 GaN on SiC 磊晶技術大廠 Cree 為求強化自身功率及射頻元件研發能力,決議 2019 年 5 月於美國總部北卡羅萊納州特勒姆市,擴建一座先進自動化 8 吋 SiC 晶圓生產工廠與一座材料超級工廠(Mega Factory),期望藉此擴建案,提升 Cree 在 SiC 晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占,並提供 GaN on SiC 先進磊晶技術進一步應用於功率及射頻元件。

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