5G 通訊推升需求,GaAs 射頻元件 2020 年新一波成長動能顯現

作者 | 發布日期 2019 年 07 月 08 日 15:10 | 分類 手機 , 晶圓 , 網路 Telegram share ! follow us in feedly


根據 TrendForce 旗下拓墣產業研究院報告指出,由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求,逐漸以 GaAs 晶圓做為元件的製造材料,加上隨著 5G 布建逐步展開,射頻元件使用量較 4G 時代倍增,預料將帶動 GaAs 射頻元件市場於 2020 年起進入新一波成長期。

拓墣產業研究院指出,由於射頻前端元件特性,包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等,在 4G 與 5G 時代有高度需求,傳統如 HBT 和 CMOS 的 Si 元件已無法滿足,廠商便逐漸將目光轉移至 GaAs 化合物半導體。而 GaAs 化合物半導體憑藉本身電子遷移率較 Si 元件快速,且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓等特性,因此特別適合應用於無線通訊中的高頻傳輸領域。

由於 4G 時代的手機通訊頻率使用範圍已進展至 1.8~2.7GHz,對傳統 3G 的 Si 射頻前端元件已不敷使用,加上 5G 通訊市場正步入高速成長期,其使用頻段也將更廣泛(包含 3~5GHz、20~30GHz), 因此無論是 4G 或 5G 通訊應用, 現行射頻元件都將逐漸被 GaAs 取代。

若以目前市場發展來看,受到 2018 年下半年受到手機銷量下滑、中美貿易戰影響,衝擊 GaAs 通訊元件 IDM 廠營收表現,預估 2019 年 IDM 廠總營收將下滑至 58.35 億美元,年減 8.9%。然而,隨著 5G 通訊持續發展,射頻前端元件使用數量將明顯提升,如功率放大器(PA)使用量,由 3G 時代的 2 顆、4G 的 5~7 顆,提升至 5G 時代的 16 顆,將帶動 2020 年整體營收成長,預估 GaAs 射頻前端元件總營收將達 64.92 億美元,年增 11.3%。

整體而言,隨著各國持續投入布建 5G 基地台等基礎設施,預估在 2021、2022 年將達到高峰,加上射頻前端元件使用數量較 4G 時代翻倍,將可望帶動 IDM 大廠 Skyworks(思佳訊)、Qorvo(科沃)新一波營收成長動能,而台廠射頻代工製造業穩懋、宏捷科及環宇等,也將隨著 IDM 廠擴產而取得訂單,逐漸擺脫營收衰退的陰霾。

(首圖來源:shutterstock)

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