近期 DRAM 現貨價格回跌，記憶體模組廠商威剛董事長陳立白認為，現貨市場再跌有限，主要是資料中心（Data center）客戶開始下單時，DRAM 現貨價將會開始二次反彈，且市場也會為了延到 11 月中的中美貿易談判前先拉貨，預估現貨價再跌空間有限，10 月初反彈，合約價也不會再有跌勢，而 Nand 目前原廠不急於虧損生產，在需求提升下，價格仍有再往上的可能。
對於 DRAM 市場，DRAM 已由最低價起算最高已漲 4 成，最近雖有回跌，但也幾乎跌不下去，因為三大原廠對 9 月以後的合約價不看跌，或還有上漲的空間，需求面包括手機記憶體容量的增加，新機上市以及 Data center 客戶恢復回補庫存，因 Data center 的記憶體用量大，估在 10~12 月客戶會重啟拉貨動能，現貨價近期雖有小回跌，但 9 月中到 9 月下旬，需求會回升，約 10 月上下時現貨價可望有二次反彈的機會。
對於 Nand Flash 市場，7 月初現貨價開始反彈且幅度大於 DRAM，目前的價格持平，因原廠生產 Nand Flash 仍在虧損狀況，以目前的價格來看，多做多賠，導致他們也不願意多生產，Toshiba 停電事件後產能會逐漸恢復，但不會拉回全產能量產，所以 Nand Flash 產能不會恢復太快，至少要等價格回升到成本價，原廠才再有提升產能的誘因，陳立白預估需求動能會將價格逐月逐季拉升，目前價格離成本價還有 3 成的上漲空間。
故以此來看，DRAM 以及 Nand Flash 下半年都可望有價格上漲的機會，但陳立白更看好 2021~2022 年的記憶體大多頭走勢，主要是在 5G 手機、物聯網、車用電子以及 AI 等智慧化的需求帶動，但記憶體前幾大廠無法有能力可為 2021 年做大規模的資本投資，所以到時可能會有供給吃緊的狀況。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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