三星跳電事件激勵買方預期性補貨,2020 Q1 DRAM 合約價起漲

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 08 日 14:30 | 分類 晶片 , 記憶體 follow us in feedly


據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,隨著近一個月來 DRAM 現貨價格持續走揚,加上 2019 年 12 月 31 日三星華城廠區發生跳電,雖然整體記憶體供給並沒有因此事件受到重大影響,但觀察到各產品別買方備貨意願進一步增強。因此,TrendForce 再次修正 2020 年第一季 DRAM 合約價格預測,由原先的「大致持平」調整為「小漲」,價格正式提前翻轉向上。

在標準型記憶體,雖然第一季的價格仍在議定中,但 TrendForce 預估持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿易關稅的不確定性下,大部分銷往美國的筆電都趕在 2019 年第四季出貨,導致 2020 年第一季的出貨較為疲弱。但考量今年 DRAM 的供給位元成長幅度僅不到 13%,加上三星跳電事件的影響,PC OEM 廠已做好 DRAM 即將漲價的可能,當前都以建立更佳的庫存水位為目標,因此在採購上願意接受持平或更高的模組合約價格;若原廠能夠在第一季增加供貨量,買方甚至願意接受更高的價格,以確保安全的庫存水位。

行動式記憶體方面,雖然第一季智慧型手機市場在 5G 的議題下所有支撐,但因 5G 晶片初期供應數量有限,加上傳統淡季影響,拉貨動能依舊偏弱,因此 TrendForce 原先預測行動式記憶體 Discrete / eMCP 價格將較前一季下跌 0-5%。然而自去年 12 月中開始,除了伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫,帶動整體價格走勢提前反轉之外,NAND Flash 的供應告急同樣激勵 eMCP 的價格表現,因此將行動式記憶體的價格預估由「小跌」調整為「大致持平」。

至於利基型記憶體,由於三星華城廠區 Line 13 的 DRAM 生產重心主要為 20 / 25nm 的利基型記憶體產品,加上受到現貨市場價格上揚的影響最為直接,使得利基型記憶體價格將提早反彈。目前來看,雖然鎖定季合約價(quarterly lock-in price)的第一線大客戶有機會守住持平,不過原廠的供貨達成率 (fulfillment rate)不到六成,加上採購端截至去年底皆未積極備貨,導致庫存偏低,月合約價可能將開始逐月向上;此外,重複下單(double-booking)的出現亦可能導致原廠的供貨達成率進一步惡化,因此第一季 DDR3 和 DDR4 的價格預估將較前一季上漲 0~5%。

(首圖來源:shutterstock)

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