環球晶攜手交大,開發碳化矽等半導體材料技術

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 23 日 11:15 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料 Telegram share ! follow us in feedly


半導體矽晶圓廠環球晶 22 日與國立交通大學簽署備忘錄,將共同成立化合物半導體研究中心,開發包括碳化矽(SiC)等第三代半導體材料技術。

交大代理校長陳信宏表示,SiC 和氮化鎵(GaN)是非常具有發展前景的半導體材料,在 5G、電動車等應用上,是相當重要的成功關鍵。

陳信宏指出,交大結合多所學校相關研究的教授群,以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸,與環球晶共同合作加速開發 SiC 和 GaN,建立產學互饋循環機制,並培育國際級研發團隊,以利提升台灣半導體產業在全球的競爭實力。

環球晶表示,在 SiC 和 GaN 領域已深耕多年,並開發多項專利,具有完整的生產線,這次與交大合作,希望結合各自的專業領域與技術優勢加速發展,創造營運成長新契機。

(作者:張建中;首圖來源:shutterstock)