傳美光將對長鑫存儲開刀,專利大戰在即

作者 | 發布日期 2020 年 10 月 06 日 10:57 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


繼福建晉華案之後,日前又傳出記憶體大廠美光即將對中國同行長鑫存儲掀起專利戰的消息。

據消息指出,儘管長鑫已積極布局 DRAM 專利,但可能還是會被美光鎖定,目前有不少記憶體模組業者已陸續受到美光的關切,業界氣氛相當緊張,尤其中美關係緊張程度正急遽升高,可能將再度爆發專利大戰。

長鑫存儲也可以說是目前中國 DRAM 的標竿,2018 年開始試產一款號稱是中國自主研發的 8Gb DDR4 DRAM 晶片,2019 年第 3 季更再推出 8Gb LPDDR4 記憶體樣品,並預計今年月產能將達到 2 萬片晶圓,長鑫目前已擁有一座 12 吋晶圓廠,計畫今年底能月產 7~8 萬片,未來滿載可望近 12 萬片,且未來還有兩期建設。

百萬懸賞樣品

急速的產能擴張甚至曾被市場預期將會令 DRAM 產業陷入紅海。不過如今恐怕沒有那麼容易了,美光正虎視眈眈的盯著長鑫的產品,甚至傳出開價 100 萬人民幣想取得其工程樣品,來進行逆向工程。雖然後長鑫似乎很快速的回收。據知情人士表示,被收回的第一版樣品可能真的有仿製品的明顯痕跡,但第二版就已變更過設計,不過美光也沒有就此放棄。

基本上目前 DRAM 市場的底層專利已經被壟斷,且長鑫採用的的確是類美光的堆棧式設計,基本上業界也不看好能完全繞過美光,也之所以長鑫才為此取得奇夢達(Qimonda)的專利庫,做為未來抗衡美光的籌碼。不過值得注意的是,奇夢達的技術與如今長鑫自研晶片仍有相當的差異,原奇夢達的設計多以溝渠式(Trench)製程聞名,專利保護力可能還是有限。

▲ 左圖為奇夢達的溝渠式設計,而右圖為長鑫存儲的專利,實際上是在堆棧式設計中引入溝渠式的特性來加以改良,在專利保護方面就會比較有疑義。(Source:專利文件)

模組廠風聲鶴唳

長鑫可能打算以堆棧式混入溝渠式的設計來打模糊仗,但這也並沒有那麼容易,甚至長鑫自己可能也沒那麼有信心。還有消息指出,原本積極擴產的計畫已經停止,更有部分不具名模組廠已暫停與長鑫的合作,業界開始瀰漫緊張氛圍,這些消息的衝擊還在評估中尚待釐清。

不過長鑫目前主要市場仍在中國,主要的合作廠商也是中國的模組業者,且專利戰沒有那麼容易,就算美光纏戰也應該很難在中國境內使其敗訴,最終結果可能就是長鑫斷開與國際業者的聯繫,但還是會在中國市場銷售。所以也有猜測認為,這可能會牽扯到目前的美中禁令,才會令美光的專利戰更有意義。

(首圖來源:科技新報)

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