中國 EUV 封鎖有解?ASML 推 7 奈米製程 DUV

作者 | 發布日期 2020 年 11 月 09 日 8:01 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 晶圓 Telegram share ! follow us in feedly


上週在中國國際進口博覽會現場,半導體設備巨頭 ASML 展出可用於 7 奈米以上先進製程的深紫外曝光機 DUV。

據中國媒體消息指出,雖然目前極紫外曝光機,俗稱 EUV 光刻機仍受美國技術封鎖而無法出口,但 ASML 保證 DUV 就完全沒有問題,尤其是浸潤式 DUV,並不需要向美國申請出口許可。經多重曝光後,浸潤式 DUV 也能達 7 奈米製程的門檻,甚至更進一步。

這令中芯等中國業者似乎有解套法,且 ASML 會場更提供完整解決方案,擁有先進控制能力的機台將能透過建模、仿真、分析等技術,讓邊緣定位精度不斷提高,深受市場矚目。ASML 全球副總裁暨中國區總裁沈波受訪時表示,公司對向中國出口光刻機持相當開放的態度,在法律法規框架下,都會全力支持。

ASML 目前已在中國建立培訓中心,培養相關人才,深圳和北京也有兩家技術開發中心,專門開發技術,已提供中國近 700 多台各式產品。此次若真能提供適用 7 奈米製程以上 DUV 可謂相當大的突破。因理論上,DUV 通常只能用到 25 奈米。

英特爾雖然透過特別的技術用在 10 奈米製程,但幾乎已是極限。DUV 的深紫外光波長近 193 奈米,雖然透過液體浸潤多重曝光後,的確能縮小線距,但要與 EUV 的 13.5 奈米波長等效,成本及良率恐怕都會很難看,這也是當初為何台積電毅然選擇投入設備非常昂貴的 EUV 技術。

不過 ASML 似乎提出可行解答,技術細節如何尚不清楚,雖然預期性能仍不太可能勝過 EUV,不過對中國而言,成本昂貴本來就不是問題,生產能力才是首要,後續發展值得關注。

(首圖來源:ASML

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