上週在中國國際進口博覽會現場，半導體設備巨頭 ASML 展出可用於 7 奈米以上先進製程的深紫外曝光機 DUV。
據中國媒體消息指出，雖然目前極紫外曝光機，俗稱 EUV 光刻機仍受美國技術封鎖而無法出口，但 ASML 保證 DUV 就完全沒有問題，尤其是浸潤式 DUV，並不需要向美國申請出口許可。經多重曝光後，浸潤式 DUV 也能達 7 奈米製程的門檻，甚至更進一步。
這令中芯等中國業者似乎有解套法，且 ASML 會場更提供完整解決方案，擁有先進控制能力的機台將能透過建模、仿真、分析等技術，讓邊緣定位精度不斷提高，深受市場矚目。ASML 全球副總裁暨中國區總裁沈波受訪時表示，公司對向中國出口光刻機持相當開放的態度，在法律法規框架下，都會全力支持。
ASML 目前已在中國建立培訓中心，培養相關人才，深圳和北京也有兩家技術開發中心，專門開發技術，已提供中國近 700 多台各式產品。此次若真能提供適用 7 奈米製程以上 DUV 可謂相當大的突破。因理論上，DUV 通常只能用到 25 奈米。
英特爾雖然透過特別的技術用在 10 奈米製程，但幾乎已是極限。DUV 的深紫外光波長近 193 奈米，雖然透過液體浸潤多重曝光後，的確能縮小線距，但要與 EUV 的 13.5 奈米波長等效，成本及良率恐怕都會很難看，這也是當初為何台積電毅然選擇投入設備非常昂貴的 EUV 技術。
不過 ASML 似乎提出可行解答，技術細節如何尚不清楚，雖然預期性能仍不太可能勝過 EUV，不過對中國而言，成本昂貴本來就不是問題，生產能力才是首要，後續發展值得關注。
（首圖來源：ASML）
