拓墣觀點》中國第三代半導體發展動態
作者 | 發布日期 2021 年 06 月 15 日 7:15 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
拓墣觀點》中國第三代半導體發展動態


中國廠商的SiC襯底技術與國際龍頭Cree仍存在較大差距，但差距正在逐步縮小。

本篇文章將帶你了解 :
  • 中國SiC襯底與外延現況
  • 中國GaN襯底與外延現況
  • 中國SiC襯底產線布局與尺寸、價格趨勢

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