聯電和美光今日宣布達成全球和解協議，雙方將各自撤回訴訟，同時聯電將支付美光金額保密的和解金，雙方將共創商業合作機會。
聯電無法透露支付多少和解金，但據悉不會對財務造成影響。不過去年10 月 28 日，聯電認罪竊取美光商業機密一案，遭美國司法部處以 6,000 萬美元罰金。
聯電當時指出，和解協議中美國司法部同意撤銷對聯電包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業祕密和專利有關等指控。聯電承認侵害一項營業祕密，同意支付美國政府 6,000 萬美元罰金，並 3 年自主管理緩刑期間與司法部合作。
聯電、美光纏訟始末
此案是源自於 2016 年 5 月，聯電與福建晉華簽署合作協議，共同開發兩代動態隨機存取記憶體 (DRAM) 製程。協議開發的 DRAM 製程並非最新技術，而是與 2012 年量產技術相似的舊技術。
然而三位參與 DRAM 合作案的台灣美光前員工，違反與聯電簽訂的僱傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯電並工作時參考，又將機密資料轉給晉華，台灣美光因此提告聯電，同年又在美國對聯電、晉華提起訴訟，所以美國司法部開始調查。
今日聲明提到，美光科技為創新記憶體和儲存空間解決方案的業界領導者，擁有超過 40 年技術引領與創新經驗及總數超過 47,000 件的全球專利，積極大幅投資先進研發及製造，持續推動對於數據經濟至關重要的各項創新，對智慧財產權的保護則是公司保持競爭力的重要基石。
聯電為半導體晶圓專工業的全球領導者之一，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用提供高品質的晶圓製造服務。現在共有 12 座晶圓廠，月產能總計約 80 萬片 8 吋約當晶圓。在各領域提供有競爭力產品及服務之際，將持續落實並最佳化有關營業祕密之保護與防免的政策與措施。
（首圖來源：聯電）
